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Laser nano hetero estructura


Enviado por   •  17 de Febrero de 2021  •  Apuntes  •  874 Palabras (4 Páginas)  •  6 Visitas

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Tarea 3-2P: Laser nano hetero estructura

La heteroestructuras laser consiste en la deposición epitaxial de películas semiconductoras por medio de una cámara de MBE sobre un sustrato cristalino epi-ready de GaAs (001) tipo-n con un dopaje nominal de 1×〖10〗^18 〖cm〗^(-3). (González, Fernández; Díaz de León Zapata; Lara Velázquez; Ortega Gallegosc;, 2019)

Transiciones ópticas dentro de las heteroestructuras

Una transición interbanda es aquella en la cual un electrón es excitado desde una subbanda de la banda de valencia a una subbanda de la banda de conducción, o viceversa. Este proceso va acompañado de la absorción (emisión) de un fotón con frecuencia proporcional a la diferencia energética entre los dos niveles. (Hugo L. Aya Baquero, s.f.)

Las transiciones intersubbandas ocurren al interior de la banda de conducción, bien sea entre los niveles discretos del pozo cuántico o entre uno de los niveles del pozo y el espectro continuo por fuera del pozo. Estas transiciones van acompañadas de procesos de emisión o absorción de fotones. Las posiciones de los niveles discretos de energía dependen del ancho del pozo, el cual se puede modular en la fabricación del dispositivo. Una de las aplicaciones del proceso de absorción de luz que genera transiciones entre una subbanda y el espectro continuo de la misma banda se da en la foto detectores de visión infrarroja.

Fabricación de heteroestructuras

Para la fabricación actual de estas estructuras especiales, existe la posibilidad de depositar elementos químicos con extrema precisión a escala atómica, mediante técnicas especiales como la conocida de crecimiento epitaxial por haces moleculares. Esto es, procedimientos donde se produce el paso de un semiconductor a otro, como la Molecular Beam Epitaxy (MBE) o la deposición de vapor mediante procesos químicos organometálicos (MOCVD).

Por lo que respecta a la fabricación actual de heteroestructuras, ya existe la posibilidad de depositar elementos químicos con extrema precisión a escala atómica mediante técnicas especiales como las llamadas "de crecimiento epitaxial”, esto es: mediante técnicas en las cuales se produce el pasaje de un semiconductor a otro; son técnicas tales como la MBE (sigla inglesa de Molecular Beam Epitaxy) o la MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition). Con estas técnicas se podría depositar materiales con tanta exactitud que podrían proveer una gama ilimitada en teoría de heteroestructuras y desarrollar así sistemas con las características que los portadores de carga eléctrica se encontrarían confinados o atrapados en espacios limitados, llamados espacios de dimensionalidad reducida. Precisamente por estas virtudes la mayor parte de los dispositivos a semiconductores producidos actualmente están constituidos por hetero estructuras. En el campo de la optoelectrónica, la posibilidad de confinar la radiación óptica es extremadamente importante. (Fabricación de heteroestructuras, s.f.)

Técnicas de fabricación mejoradas

Las

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