ANÁLISIS E IMPLEMENTACIÓN DE CIRCUITOS DE DISPARO

PREPARATORIO 3

ANÁLISIS E IMPLEMENTACIÓN DE CIRCUITOS DE DISPARO

Objetivo:

Diseñar e implementar circuitos para la generación de señales de control utilizando la técnica de modulación de ancho de pulso (PWM) para el disparo de dispositivos semiconductores de potencia.

Circuito de generación de PWM sincronizado con la red con la técnica de rampa lineal para una relación de trabajo variable de 0.1 a 0.9 (Circuito de Figura 1). NOTA: La simulación debe indicar las formas de onda en los puntos marcados como 1,2,3,4,5 y 6.

Diseño:

Parte de potencia:

Se usará los diodos de potencia 1N4007, los cuales tienen un voltaje de juntura de 1V, por ende, se tendrá un voltaje DC a la salida del puente de:

V_DC= 2/π ((√2 110)-2)=97,76V

Ahora tomamos en cuenta las especificaciones del datasheet de 4N25 para un funcionamiento óptimo del emisor.

𝐼𝐹=50 𝑚𝐴

𝑉𝐹=1.3 𝑉

Así se calcula la resistencia como:

R_1= (97,76-1,3)/(50 x 10^(-3) ) =1929,23 Ω ≈ 2.2 KΩ

Parte de control:

Ahora tomamos en cuenta las especificaciones del datasheet de 4N25 para un funcionamiento óptimo del receptor.

𝐼𝐶𝐸=2 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸=0.5 𝑉

Así se calcula la resistencia como:

R_3= (12-0,5)/(2 x 10^(-3) ) =5750 Ω ≈ 6.2 KΩ

En la base se coloca una resistencia grande: R_2=10 GΩ , para simular una desconexión.

Objetivo:

Diseñar e implementar circuitos para la generación de señales de control utilizando la técnica de modulación de ancho de pulso (PWM) para el disparo de dispositivos semiconductores de potencia.

Circuito de generación de PWM sincronizado con la red con la técnica de rampa lineal para una relación de trabajo variable de 0.1 a 0.9 (Circuito de Figura 1). NOTA: La simulación debe indicar las formas de onda en los puntos marcados como 1,2,3,4,5 y 6.

Diseño:

Parte de potencia:

Se usará los diodos de potencia 1N4007, los cuales tienen un voltaje de juntura de 1V, por ende, se tendrá un voltaje DC a la salida del puente de:

V_DC= 2/π ((√2 110)-2)=97,76V

Ahora tomamos en cuenta las especificaciones del datasheet de 4N25 para un funcionamiento óptimo del emisor.

𝐼𝐹=50 𝑚𝐴

𝑉𝐹=1.3 𝑉

Así se calcula la resistencia como:

R_1= (97,76-1,3)/(50 x 10^(-3) ) =1929,23 Ω ≈ 2.2 KΩ

Parte de control:

Ahora tomamos en cuenta las especificaciones del datasheet de 4N25 para un funcionamiento óptimo del receptor.

𝐼𝐶𝐸=2 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸=0.5 𝑉

Así se calcula la resistencia como:

R_3= (12-0,5)/(2

...