DEPARTAMENTO DE ENERGÍA Y MECÁNICA. LABORATORIO DE CIENCIA DE LOS MATERIALES

UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS – ESPE[pic 1]

DEPARTAMENTO DE ENERGÍA Y MECÁNICA. LABORATORIO DE CIENCIA DE LOS MATERIALES

Carreras de ingeniería Mecánica y Mecatrónica

DEBER 1

Nombre:            NRC: 4279               Fecha: 18/05/2021

Hallar la inserción octaédrica con los sistemas

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Carreras de ingeniería Mecánica y Mecatrónica

DEBER 2

Nombre:            NRC: 4279               Fecha: 18/05/2021

EJERCICIO

Un difractómetro de rayos x recoge gráficos para un elemento que tiene una estructura BCC-FCC ya que muestra picos en los siguientes ángulos: 31.305-36.266-52.228-62.119

1. Identifique la estructura del elemento
2. a=??
3. Identificar el elemento

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Carreras de ingeniería Mecánica y Mecatrónica

Nombre:            NRC: 4279               Fecha: 29/06/2021

CONSULTA

RELACIÓN DE PEARS y Navarro, para determinar que cuando existen planos compactos él desplazamiento es mas fácil.[pic 8]

Ejercicio 4-12

Suponga que se introduce un átomo de carbono por cada 100atomos de hierro con una posición intersticial en el hierro CCCu, lo que da un parámetro de res de 0.2867nm. Para este acero, encuentre la densidad y el factor de empaquetamiento

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Carreras de ingeniería Mecánica y Mecatrónica

Nombre:            NRC: 4279               Fecha: 29/06/2021

CONSULTA

Se aplica en esfuerzo de 10.000 psi en la dirección [0 0 1], en un cristal BCC. Calcular

1. El esfuerzo cortante que actúa sobre el sistema (101) [111]

DATOS:

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Carreras de ingeniería Mecánica y Mecatrónica

Nombre:            NRC: 4279               Fecha: 01/07/2021

Ejercicios

4.47.) Determinar el número ASTM del tamaño de grano para los materiales en la figura 4-23

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5.3) Otra etapa en la fabricación de transistores los cuales funcionan como conmutadores electrónicos en circuitos integrados, involucra una difusión de atomos impuros en un material semiconductor como el silicio (Si). Suponga que una oblea de silicio de 0.1 cm de grosor, la cual contiene un átomo de fosforo cada 10 millones de atomos de Si, se trata de tal manera que hay 400 atomos de fosforo (P) por cada 10 millones de atomos de Si en la superficie (figura 5-10). Calcule el gradiente de concentración

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