Transistor

Transistor unipolar

En primer término diremos que los transistores efecto de campo basan su funcionamiento en el

Establecimiento y control de una corriente formada únicamente por portadores mayoritarios, a diferencia de los

Transistores bipolares en donde la corriente que se controla es sostenida por electrones y huecos motivo por el cual a

Los primeros se los denomina como Transistores Unipolares. A los bipolares se los suele reconocer simplemente

Como transistores debido al hecho de que su característica de amplificación se basa en el efecto de Transresistencia

que tiene lugar entre la baja resistencia base-emisor y la alta resistencia base-colector a lo largo de una corriente

constante (IC = IE ).

En el caso de los Unipolares, la denominación de Efecto de Campo proviene del hecho de que la acción de

gobierno o modulación de potencia eléctrica inherente a la amplificación tiene lugar en base al establecimiento y

gobierno de un campo eléctrico desarrollado entre cargas eléctricas fijas en el interior del dispositivo. Otros nombres

usuales de los transistores unipolares se derivan de sus métodos de fabricación o bien de su característica particular

De funcionamiento: de Unión o Juntura (JFET), de Compuerta Aislada (IGFET), Metal-Oxido-Semiconductor

(MOSFET), de Canal Permanente, de Canal Inducido, de Vaciamiento, de Refuerzo o de Vaciamiento/Refuerzo. A

su vez todos ellos pueden ser del tipo Canal N o de Canal P.

Para identificarlos circuitalmente suele utilizarse una simbología apropiada, tal como a título de ejemplo se

ilustra en la figura III.1 para los Transistores Efecto de Campo de Juntura,. en sus variantes Canal N y Canal P.

Caracterización de los transistores unipolares

El transistor JFET

El transistor unipolar está formado por una sola capa de semiconductor de tipo n sobre

un substrato de tipo p−. Se distingue el canal cuyo dopado es n− y las conexiones al exterior,

drenador y surtidor, que son material dopado de tipo n+. Encima del canal, que conecta

drenador y surtidor, se ha difundido una capa adicional de tipo p. Las zonas dopadas tipo p se

conectan conjuntamente y se llaman puerta. El drenador del JFET es equivalente al colector

del BJT, el emisor al surtidor y la puerta a la base.

Fig. A.3.1: Transistor JFET (a) canal N y (b) su símbolo y (c) canal P y (d) su símbolo.

CEF El transistor unipolar

Su funcionamiento es algo diferente al del BJT. Como en cualquier unión p-n se forma

una zona de agotamiento entre la puerta y el canal. Si ahora conectamos la puerta con el

surtidor y ambas a tierra y además el drenador a una tensión positiva, obtendremos una

tensión inversa aplicada entre drenador y puerta. La tensión aplicada al drenador es igual a

VDS. Si variamos la tensión VDS, entonces variaremos el tamaño de la zona de agotamiento y

con ello el grosor del canal. De esta manera se podrá controlar la conductividad del canal.

Fig. A.3.2: Funcionamiento básico del transistor JFET (izqda) polarización de un JFET canal N y (a)

ampliación de la zona del drenador, (b) dimensiones del canal.

La

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