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SEMICONDUCTORES (TRANSISTORES)


Enviado por   •  17 de Febrero de 2019  •  Resúmenes  •  809 Palabras (4 Páginas)  •  61 Visitas

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SEMICONDUCTORES

ÍNDICE

Contenido

Semiconductores        3

DOPAJE        5

DIODOS        6

POLARIZACION DIRECTA E INVERSA Y TRANSISTORES        7

Semiconductores

Los semiconductores son materiales capaces de conducir electricidad mejor que los aislantes pero peor que los metales, como sabemos el semiconductor más utilizado es el silicio ya que es más abundante en la naturaleza.

[pic 1]

El silicio tiene 4 electrones en su última capa de valencia, esto quiere decir que su último orbital está incompleto, al juntarse con otros átomos de silicio, cada electrón faltante se junta con otro electrón faltante de otro átomo y así continuamente, formando así enlaces covalentes.

[pic 2]

Algunos electrones absorben la suficiente energía para poder liberarse del enlace covalente, esto es lo que hace que algunos electrones anden libres, estos electrones al irse de su posición dejan un hueco, este hueco se comportaría como un hueco “positivo” y este atraería a otro electrón que también haya podido liberarse del enlace pero justamente como son muy pocos los electrones que llegan a hacer esto, el silicio se convierte en un material semiconductor, ya que el silicio puro no conduce muy bien la electricidad.

[pic 3]


DOPAJE

Para los materiales semiconductores existen procedimientos llamados dopajes que sirven para mejorar el rendimiento del material.

Dopaje tipo N: En este proceso se le introduce un contaminante de valencia 5 al silicio, como Arsénico, Antimonio, Fosforo. Al momento de decir “valencia 5” es que tiene 5 electrones en su última capa de valencia, esto hace un desajuste a nivel electrónico ya que el silicio solo tiene 4 electrones en su última capa, un electrón sobra y este electrón es el que está libre y hace el flujo de corriente. Se le denomina tipo N porque es el tipo de carga que están libre (NEGATIVAS). A estas impurezas se le llaman impurezas “donadoras”.[pic 4]

Dopaje tipo P: En este proceso al silicio se le introduce un contaminante de valencia 3, esto quiere decir que solamente tiene 3 electrones en su última capa de valencia, en el silicio hay 4, por lo tanto falta 1 electrón, al faltar un electrón, aparece un hueco, este hueco tendría una carga positiva por lo que atraería a los electrones, este dopaje es llamado P porque es la carga que está libre (POSITIVA).  A estas impurezas se le llaman impurezas “aceptoras”.

[pic 5]

DIODOS

Los dopajes se utilizan en los dispositivos electrónicos ya sean en un transistor o en algo más simple que es un diodo.

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