Semiconductores Electrónica
Miguel Perea HdezPráctica o problema21 de Agosto de 2017
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[pic 1] Campus Ciudad de México Escuela de Diseño, Ingeniería y Arquitectura Departamento de Ingeniería en Mecatrónica y Desarrollo Sustentable | Electrónica Grupo TE-1003-01 Profesor: Manuel Carrillo Ricalde Tarea TI _____1_____ Nombre: ____Miguel Eduardo Perea Hernández______ Matrícula: ___A01651181____ CALIFICACIÓN: |
3. ¿Cuál es la principal diferencia entre las características de un interruptor sencillo y aquellas del diodo ideal?
R.- Su principal diferencia entre un interruptor sencillo y el diodo ideal, es que el interruptor puede conducir corriente en cualquier dirección y el diodo no, este solamente permite que el flujo corra en una sola dirección.
5.
[pic 2]
- Utilizando la tabla 1.1, determine la resistencia de una muestra de silicio con un área de 1 cm2 y una longitud de 3cm.
[pic 3]
- Repita el inciso (a) si ahora la longitud es de 1 cm y el área de 4 cm2.
[pic 4]
- Repita el inciso (a) si ahora la longitud es de 8 cm y el área de 0.5 cm2.
[pic 5]
- Repita el inciso (a) para el caso del cobre y compare los resultados.
[pic 6]
11. Consulte en su biblioteca y determine el nivel de Eg para el GaP y el ZnS, dos materiales semiconductores con valor práctico. Además, determine el nombre completo de cada material.
GaP = Fosfato de Galio
Eg=2.24 eV
ZnS = Sulfuro de Zinc
Eg=3.67 eV
14. Describa las diferencias entre portadores mayoritarios y minoritarios.
R.- La diferencia entre los portadores mayoritarios y los minoritarios es que al primero se le contribuye el paso de la corriente en mayor medida, y al minoritarios se le contribuye el paso de la corriente en menor medida por lo tanto son contrarios. Por ejemplo si a un tipo N por el cual circula corriente los electrones se comportarían como los portadores mayoritarios, y los minoritarios serian los huecos que se producen por los electrones que se marchan.
17. Consulte su biblioteca y encuentre otra explicación para el flujo de huecos versus el de electrones. Empleando ambas descripciones, describa con sus propias palabras el proceso de conducción de huecos.
R.- El hueco sobre la conductividad es provocado si un electrón de valencia adquiere suficiente energía cinética para romper el enlace covalente y por lo tanto se llena el espacio creado por un hueco. Un hueco se va a crear por el enlace covalente que se libero al electrón. Así se crearan huecos de un lado al otro y existirá una transferencia
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