La corriente eléctrica

dsfdsuno sin dopar. En este tipo de materiales tenemos un quinto electrón que

no se recombina con los demás y que, por tanto, está libre y vaga por el

elemento produciendo corriente. Para hacerse una idea de las cantidades que

entran en juego en esto del dopaje se podría decir que se introduce un átomo

extraño por cada doscientos millones de átomos del semiconductor.

Hasta ahora hemos descrito la corriente eléctrica como el paso de electrones

de un lado a otro pero ha llegado el momento de aumentar este concepto.

Como hemos visto la aparición de un hueco

produce el movimiento de un electrón hacia él

dejando de nuevo un hueco al que irá otro

electrón. Este movimiento puede verse desde

dos puntos de vista. El primero es el del electrón

moviéndose de derecha a izquierda, el segundo

sería el del hueco desplazándose de izquierda a

derecha. Pues bien, no es correcto ni uno ni otro,

sino los dos a la vez. Hay que pensar que tan

importante es un movimiento como el otro, y

que la corriente eléctrica hemos de concebirla como la suma de los dos. Como

veremos, en unos casos será más importante, cuantitativamente hablando, la

corriente creada por el movimiento de los electrones y, sin embargo, en otros

lo será la creada por los huecos. Se ha adoptado por convenio que la corriente

eléctrica lleva el sentido de los huecos, es decir, cuando seguimos el sentido

de los electrones la corriente es negativa y positiva en caso contrario.

Debemos dividir a los semiconductores en dos grupos: intrínsecos y

extrínsecos. Los semiconductores extrínsecos son aquellos a los que se les ha

dopado de alguna forma, produciendo así un semiconductor tipo P o del tipo N.

Y los intrínsecos son los que no han sufrido ninguna clase de dopaje

Puesto que el paso de electrones a través de cualquier material siempre

produce calor nos va a ser imposible separar los efectos producidos por el

dopaje

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