Diodo De Silicio
Enviado por waltherreza • 24 de Febrero de 2013 • 311 Palabras (2 Páginas) • 614 Visitas
Especificaciones del diodo 1N4001
Voltaje directo (VF). Voltaje de polarización directo a través del diodo. VF = 1.1 V.
Corriente directa (IF). Corriente en sentido directo a través del diodo. (IF = Forward Intensity), máxima corriente que puede soportar un diodo en polarización directa sin que se destruya (se queme). IF = 30 A.
Corriente de saturación inversa (IS). Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo, es decir al conectar el positivo de la fuente al cátodo (-) del diodo y el negativo de la fuente al ánodo (+) del diodo. IS = 30 A.
Nivel de voltaje inverso (PIV). Es el máximo potencial de polarización inversa que puede aplicarse antes de entrar en la región Zener. PIV = 50V
Potencia máxima. Es la máxima potencia que soporta un diodo. Potencia máxima = 50V.
Rango de temperatura de operación. Rango de temperatura al cual puede funcionar el diodo. Rango de temperatura = -55 a 175 ºC.
Especificaciones del diodo 1N4001
Voltaje directo (VF). Voltaje de polarización directo a través del diodo. VF = 1.1 V.
Corriente directa (IF). Corriente en sentido directo a través del diodo. (IF = Forward Intensity), máxima corriente que puede soportar un diodo en polarización directa sin que se destruya (se queme). IF = 30 A.
Corriente de saturación inversa (IS). Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo, es decir al conectar el positivo de la fuente al cátodo (-) del diodo y el negativo de la fuente al ánodo (+) del diodo. IS = 30 A.
Nivel de voltaje inverso (PIV). Es el máximo potencial de polarización inversa que puede aplicarse antes de entrar en la región Zener. PIV = 50V
Potencia máxima. Es la máxima potencia que soporta un diodo. Potencia máxima = 50V.
Rango de temperatura de operación. Rango de temperatura al cual puede funcionar el diodo. Rango de temperatura = -55 a 175 ºC.
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