Memorias RAM

1.3 La memoria principal (RAM)

Una memoria RAM (random acces memory) es un amemoria en la que se puede leer y escribir y en la cual los tiempos de escritura y lectura son esencialmente independientes de la localizacion en la que entra el dato o en la que estaba. El dato se entra en una localización determinada y se saca de esa misma localización.

Por muchos años sólo había una forma de hacer memorias RAM, con nucleos de ferritas. Pero actualmente, las memorias de semiconductores son más fáciles de usar y cuestan menos por bit que una memoria de núcles de ferritas.

Hay varios tipos de RAM y pueden ser divididos en tres categorias bpasicas dependiendo de las tecnologías y técnicas usadas para su construcción.

Bipolar:

La tecnología bipolar es la ue s eusa en los circuitos integrados RTL, TTL, ECL y demás familias. Los circuitos bipolares se llaman así porque utilizan transistorres bipolares de unión.

Las memorias de semiconductores bipolares son normalemente compatibles directamente con una o más de las familias lógica bipolares estándar y son normalemente lás más rápidas pero cuestan más y disipan más potencia.

MOS státicas:

Tanto las memorias MOS estáticas como las dinámicas utilizan transistores MOSFET. Sin embargo, en lso circuitos estáticos, lso transistores son usados como si fueran amplificadoes de corriente contínua, mientras que en los cicuitos dinpamicos se hace gran uso de capacidades para el almacenamiento temporal.

En general, los circuitos Mos estáticos son más fáciles de usar en sistemas que los circuitos MOS dinpamicos, pero necesitan más potencia y cuesta más por bit. Con las nuevas tecnologías MOS, muchos circuitos MOS estáticos pueden ser directamente "interfaceados" con circuitos lógicos TTL o DTL.

Los circuitos MOS estáticos ueden ser de tecnología de canal N o canal P. Los de tecnología de canal N ofrecen una interfaz más sencillo con TTL que los de canal P.

MOS dinámicas:

los circuitos MOS dinámicos hacen uso del amacenamiento temporal de los datos en las capacidades de lso circuitos, siendo cada célula de memoria un condensador del orden de decimas de pF.

Debido a las fugas, la carga en esas capacidades puede desaparecer en unos pocos milisegundos. Para evitar la pérdida de los datos, ésta carga debe ser realmacenada (refrescada). Ésto se consigue regenerando o recirculando los datos. Los circuitos dinpamicos requieres tensiones de clock regeneradas externamente y son normalmente demasiado altas para ser generadas con circuitos integrados ordinarios, haciendo falta circuitos integrados especiales o componentes discretos. Por lo tanto los circuitos dinpamicos son más difíciles de "interfacear" con las familias lógicas estádar.

Aunque son más difíciles de usar, éstos circuitos tienen varias ventajas:

Permiten grandes cantidades de memoria integradas en un solo chip.

Las velocidades posibles con circuitos MOS dinpamicos son mayores que con estáticos, auqnue no tanto como cón las memorias bipolares.

Son las memorías que disipan menos potencia.

Las memorias RAM están normalemente organizadas como de N palabras de M bits cada una, como normalmente se usa el código binario, el direccionado que selecciona una de las N palabras es normalmente un valor binario de k bits y entocnes N es una potencia de 2:2^k.

Una memoria de 64 bits organizada en 16 palabras de 4 bits:

Si tuvieramos que hacer una analogía del lugar que ocupa la RAM en el sistema,

podríamso decir que se trata del espacio de trabajo que utiliza el procesador para tomar datos sin procesar y depositarlos ya procesados. La UCP toma ese dato, lo procesa y lo deposita nuevamente en

...