Tipos De Memorias

Tipos de memoria RAM

Memoria SRAM

Es el acrónimo de Static Random Access Memory (Memoria Estática de Acceso Aleatorio), un tipo de memoria RAM (RAM estática) alternativa a la DRAM (RAM dinámica).

La memoria SRAM es muy cara, por lo que se suele usar con más frecuencia la memoria DRAM la cual es más barata y más pequeña, pero también más lenta, además necesita periódicas señales de refresco para que no pierda su contenido. La SRAM por su parte no necesita ser refrescada. Ambas memorias son volátiles, queriendo decir con esto, que cuando se corta el suministro de corriente, los datos almacenados se pierden.

Debido al alto coste de fabricación de la SRAM y a su alta velocidad, su uso más común está en la memoria caché de los ordenadores.

Diseño

"Acceso aleatorio" significa que la localización de las posiciones en la memoria donde los datos serán leídos o escritos, no sigue ningún orden. Cada bit en una SRAM es almacenado en cuatro transistores que forman un biestable. Esta célula de almacenaje tiene dos estados estables, los cuales se utilizan para denotar 0 ó 1. Dos transistores adicionales sirven para controlar el acceso a la célula de almacenaje durante las operaciones de lectura o escritura.

Operaciones de SRAM

Una célula de SRAM tiene tres estados distintos en los que puede estar:

1. Reposo (standby): cuando no se realizan tareas de acceso al circuito

2. Lectura (Reading): cuando la información ha sido solicitada

3. Escritura (writing): cuando se actualizan los contenidos.

Tipos de memoria SRAM

Async SRAM

Es asíncrona, esto es, independiente de la frecuencia de reloj y con tiempos de acceso entre 20 y 12 nanosegundos. Podemos encontrar este tipo de memoria en la caché de los antiguos i386, i486 y primeros Pentium.

Sync SRAM

Todas las sincronizaciones se inician por el tiempo de subida/bajada del reloj. La dirección, dato almacenado y otras señales de control se asocian a las señales del reloj.

Memoria DRAM

Es el acrónimo de (Dynamic Random Access Memory) es una memoria RAM electrónica construida mediante condensadores. Los condensadores son capaces de almacenar un bit de información almacenando una carga, por lo que necesita refrescarse cada cierto tiempo: el refresco de una memoria RAM consiste en recargar los condensadores que tienen almacenado un uno para evitar que la información se pierda por culpa de las fugas (de ahí lo de "Dynamic"). La memoria DRAM es más lenta que la memoria SRAM, pero por el contrario es mucho más barata de fabricar y por ello es el tipo de memoria RAM más comúnmente utilizada como memoria principal.

También se denomina DRAM a la memoria asíncrona de los primeros IBM-PC, su tiempo de refresco era de 80 ó 70 nanosegundos. Se utilizó en la época de los i386, en forma de módulos SIMM o DIMM.

Modulo SIMM

El término SIMM significa Módulo sencillo de Memoria en línea. Con los SIMMs, los chips de memoria se sueldan sobre un Conjunto de tarjetas circuitos impresos (PCB), que se insertan en un socket en la tarjeta del sistema.

Los primeros SIMMs transferían 8 bits de datos a la vez. Más tarde, a medida que los CPUs comenzaron a leer datos en fragmentos de 32 bits, se desarrolló un SIMM más amplio, que podía suministrar 32 bits de datos al mismo tiempo. La forma más fácil de diferenciar entre estos dos tipos de SIMMs era el número de pines o conectores. Los módulos anteriores tenían 30 pines y los módulos más nuevos tienen 72 pines. Por lo tanto, estos se conocieron comúnmente como los SIMMs de 30 pines y los SIMMs de 72 pines.

Otra diferencia importante entre los SIMMs de 30 pines y los SIMMs de 72 pines es que los SIMMs de 72 pines miden 3/4 de pulgada (aproximadamente 1.9cm) más que los SIMMs de 30 pines y tienen una muesca en la mitad inferior de PCB. La gráfica que se ve continuación compara los dos tipos de SIMMs e indica sus anchos de datos.

Modulo DIMM

Los Módulos duales de memoria en línea, o DIMMs, se parecen mucho a los SIMMs. Como los SIMMs, la mayoría de los DIMMs se instalan en forma vertical en los sockets de expansión. La diferencia principal entre los dos es que un SIMM, las pines de los lados opuestos de la tarjeta están “unidas” para formar un contacto eléctrico; en un DIMM, las pines opuestas permanecen eléctricamente aisladas para formar dos contactos separados.

Los DIMMs de 168 pines transfieren 64 bits de datos a la vez y normalmente usan en configuraciones de computadora que soportan un bus de 64 bits o un bus de memoria más amplio. Algunas de las diferencias físicas entre los DIMMs de 168 pines y los SIMMs de 72 pines incluyen: la longitud del módulo, el número de muescas en el módulo y la forma en que se instala el módulo en el socket. Otra diferencia es que muchos SIMMs de 72 pines se instalan con una ligera inclinación, mientras que los 168 pines se instalan en forma recta en el socket de la memoria y permanecen completamente verticales con relación con la tarjeta madre del sistema. La ilustración que viene a continuación compara un DIMM de 168 pines con un SIMM de 72 pines.

Memoria EDRAM

EDRAM significa "incrustado DRAM", un condensador basada en dinámicas de acceso aleatorio de memorias por lo general integradas en el mismo morir o en el mismo paquete como el principal ASIC o el procesador, a diferencia de exteriores y módulos DRAM transistor basado en SRAM usan típicamente para caches.

Memoria RDRAM

La RDRAM es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema.

El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos en una serie de decisiones de diseño que no buscan solo proporcionar un alto ancho de banda, sino que también solucionan los problemas de granularidad y número de pins. Este tipo de memoria se utilizó en el sistema de videojuegos Nintendo 64 de Nintendo y otros aparatos de posterior salida.

Características RDRAM

Una de las características más destacable dentro de las RDRAM es que su ancho de palabra es de tan sólo 16 bits comparado con los 64 a los que trabajan las SDRAM, y también trabaja a una velocidad mucho mayor, llegando hasta los 400Mhz. Al trabajar en flancos positivos y negativos, se puede decir que puede alcanzar unos 800 MHz virtuales o equivalentes, este conjunto le da un amplio ancho de banda. Posteriormente nos encontramos que la frecuencia principal de las RDRAM es de 1200 MHz, la configuración del módulo RIMM 4800 que incorpora dos canales RDRAM separados a 1200 MHz en un solo módulo. Además, han pasado de RIMMs de los 16 bits a conseguir módulos de 32 y 64 bits.

Modulo RIMM

RIMM es el nombre de la marca para el módulo directo de memoria Rambus. El

RIMM es similar al DIMM, pero tiene un conteo de pines distinto. Los RIMM Transfieren datos en pedazos de 16 bits, el acceso es más rápido y la velocidad de transferencia genera más calor. Una cubierta de aluminio, llamada dispersor de calor, cubre el módulo para proteger a los chips de sobrecalentamiento.

Memoria CDRAM

CDRAM (Cache DRAM): es una mezcla de memoria estática (SRAM) y memoria dinámica (DRAM). Similar a la caché de los modernos procesadores, en la CDRAM los datos frecuentemente usados se almacenan en la rápida SRAM, lo que incrementa el rendimiento.

Memoria SDRAM

SDR SDRAM (del inglés, Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory, es decir, memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple). Se comercializó en módulos de 32, 64, 128, 256 y 512 MB, y con frecuencias de reloj que oscilaban entre los 66 y los 133 MHz Se popularizaron con el nombre de SDRAM (muy poca gente sabía entonces que lo 'correcto' era decir SDR), de modo que cuando aparecieron las DDR SDRAM, los nombres 'populares' de los dos tipos de tecnologías fueron SDRAM y DDR, aunque las memorias DDR también son SDRAM.

La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior.

Para funcionar a toda su velocidad, una memoria SDR requiere un caché con velocidad suficiente como para no desperdiciar su potencial.

DDR SDRAM

DDR, Double Data Rate, significa memoria de doble tasa de transferencia de datos en castellano. Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDR soportan una capacidad máxima de 1 GB.

Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su Pentium 4, en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permitió competir en precio. Son compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un FSB (Front Side Bus) de 64 bits de datos y frecuencias de reloj desde

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