Transistores De Potencia

AMPLIFICADORES DE RF DE PEQUEÑA SEÑAL

DISEÑO USANDO PARÁMETROS Y y S

POLARIZACIÓN

REDES TÍPICAS DE ADAPTACIÓN EN LA ENTRADA Y SALIDA

ING. RAFAEL SOTELO

INTRODUCCIÓN

El presente trabajo aborda la problemática del diseño de amplificadores de radiofrecuencia de pequeña señal, dando un proceso sistemático para llevarlo adelante.

Está basado en la siguiente bibliografía, tanto desde el punto de vista teórico como de los ejemplos e imágenes que se incluyen:

RF CIRCUIT DESIGN – Chris Bowick – Howard W. Sams & Co., Inc. – 1982 – ISBN 0-672-21868-2

MICROWAVE TRANSISTOR AMPLIFIERS, Analysis and Design – Guillermo González – Prentice-Hall, Inc. – 1984 – ISBN 0-13-581646-7

AN215A – RF Small Signal Design Using Two-Port Parameters – Motorola Semiconductors

AN-267 – Matching Network Design With Computer Solutions – Motorola Semiconductors

POLARIZACIÓN

Comenzamos nuestro trabajo sobre amplificadores de radiofrecuencia estudiando su comportamiento en corriente continua. El lector podrá preguntarse por qué lo hacemos justamente por el extremo opuesto a las frecuencias de interés.

La respuesta es que la polarización de continua tiene un efecto importante sobre el comportamiento en RF. Esto se debe a que los parámetros relevantes en RF de un transistor son muy dependientes de su polarización de continua, en particular de su corriente de colector.

Debemos conseguir una polarización estable frente a cambios de temperatura.

Hay dos características importantes que tienen un efecto profundo sobre el punto de funcionamiento de continua del transistor: ΔVBE y Δβ

Pretendemos minimizar los efectos de estos parámetros.

El voltaje base emisor baja cuando la temperatura sube 2,5 mV/ºC. Recordamos que un transistor de silicio tiene VBE=0,7V a 25ºC.

Veamos el proceso: si VBE baja, se permite fluir más corriente de base, lo que produce más corriente de colector. Buscaremos métodos para evitar este comportamiento porque tal

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