Tensión y corriente en el Diodo.

Pre-Informe Lab.1 (Tensión y corriente en el Diodo)

Sánchez Huertas Juliette Ximena 20131072047

Sánchez Huertas Jhonatan Stiven 20131072002

Guerrero Mahecha César Augusto 20082072023

Freddy Martínez

Dispositivos Semiconductores

Universidad Distrital Francisco José De Caldas

Facultad-Tecnológica Bogotá 2 de Marzo de 2015

ABSTRACT

In this paper aims to design a circuit in which it can, through the theoretical development and from measurements of voltage and current, plotted the voltage curve vs current in the diode.

RESUMEN

En este informe se pretende diseñar un circuito en el cual se pueda, a través del desarrollo teórico y a partir de mediciones de tensión y corriente, graficar la curva de tensión vs corriente en el diodo.

1. Introducción

Debido al  gran uso de materiales en la rama de la electricidad, surgen ciertos elementos que pueden cargarse tanto positiva como negativamente.  También existen diversos tipos de materiales como lo son los materiales intrínsecos: materiales que  son puros, no han sido contaminados; y los materiales extrínsecos, son aquellos que han sido mezclados o  que  se les ha agregado  átomos de otra sustancia, este tipo de materiales son también conocidos como dopados. Se utiliza para obtener electrones libres que sean capaces de transportar la energía eléctrica. Estos materiales son conocidos como dispositivos semiconductores, los cuales, a través de cierto tratamiento funcionan como un conductor o un aislante.

1. Marco teórico

El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor más sencillo y se puede encontrar, prácticamente en cualquier circuito electrónico. Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la más utilizada) y de germanio. Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unión. Esta barrera o unión es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.

Principio de operación de un diodo

El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones). Cuando una tensión positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a través del material P más allá de los límites del semiconductor. De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensión negativa al lado del material N y los huecos fluyen a través del material N.

En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no hay corriente.

Polarización directa

Diodo semiconductor polarizado en sentido directo, es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del diodo), o sea del ánodo al cátodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad comportándose prácticamente como un corto circuito.

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