Union P-N

Unión P-N

Se refiere a la unión entre un semiconductor tipo P (donde hay huecos libres) con uno tipo N (donde hay electrones libres)

Al unirse se da una difusión de huecos y electrones tanto de la región P a la N, como de la N a la P

Esta difusión hace que se queden atrás las impurezas que contenían los materiales previamente formando una zona donde quedarán cargas eléctricas netas, las cuales darán lugar a un campo eléctrico, y asociado a este hay un potencial que actúa como barrera, deteniendo así las cargas móviles

Estos materiales lograran un equilibrio cuando la corriente de difusión (mecanismo que da lugar a que las partículas se propaguen ocupando el máximo volumen posible) sea igual a la corriente de arrastre (se refiere a la fuerza que ejerce un campo eléctrico entre partículas negativas o positivas)

La barrera de potencial es un obstáculo que impide el flujo de corriente en el dispositivo y puede crecer o decrecer al aplicarse una carga externa a este

Si se aplica una tensión mayor en la parte P se logra decrecer esta barrera

Al ser tan pequeña esa barrera no logra detener la fuerza de difusión permitiendo asi que haya un flujo de corriente. A esta configuración se le llama “Polarización Directa”

Al aplicar una tensión mayor a la parte N que a la parte P, la barrera crece aun más

Al crecer esta barrera se impide aun más el movimiento de difusión eliminando asi una corriente eléctrica apreciable en el dispositivo

Por tanto se puede decir que un dispositivo P-N solo puede conducir la corriente eléctrica en un sentido

...