Diodos BJT
Enviado por Berenice • 8 de Noviembre de 2014 • 477 Palabras (2 Páginas) • 248 Visitas
¿Qué es un diodo semiconductor?
El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor más sencillo y se puede encontrar, prácticamente en cualquier circuito electrónico. Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la más utilizada) y de germanio.
Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unión. Esta barrera o unión es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.
INTRODUCCION
BJT (Bipolar Junction Transistor)
Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado sólido de tres terminales, núcleo de circuitos de conmutación y procesado de señal.
El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleado en electrónica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No existe desgaste por partes móviles).
Efecto Transistor: el transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en función de la señal de entrada. Esta variación de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito al que está conectado. (Transfer Resistor).
CONSTITUCION INTERNA DE UN BJT
Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en sentido opuesto. (Emisor, Base y Colector) En función de la situación de las uniones, existen dos tipos: NPN y PNP.
La unión correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la Base Colector en inversa. Así, por una unión Base-Colector circula una corriente inversa.
En NPN, la región de emisor tiene mayor dopaje que la base. Al polarizar la unión Base-Emisor en directa, y la Base-Colector en inversa, los electrones libres que proceden del emisor llegan a la base, con mucho menor de huecos, por los que son atraídos por el colector (con alta concentración de impurezas).
TRANSISTOR BIPOLAR NPN
Está formado por una capa fina tipo P entre dos capas N, contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas (E, B, C).
El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base. En la base se gobiernan dichos portadores.
En el colector se recogen los portadores que no pueden acaparar la base.
• Unión emisor: es la unión PN entre la base y el emisor.
• Unión colector: es la unión PN entre la base y el colector.
TRANSISTOR BIPOLAR PNP
El BJT pnp está formado igual por un cristal semiconductor con tres
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