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Memoria no volátil de lectura / escritura


Enviado por   •  2 de Diciembre de 2012  •  351 Palabras (2 Páginas)  •  465 Visitas

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Memoria no volátil de lectura / escritura

Tanto las ram estática como la dinámica tienen la desventaja de ver volátiles. Cuando sea apaga la alimentación, se pierden los datos. con la finalidad de resolver este problema , se desarrollaron las memorias no volátiles de lectura y escritura , las cuales se encuentran implantadas en la actualidad como :

• Se utiliza el respaldo de baterías en el caso de una SRAM CMOS.

• Se usa una RAM estática no volátil (NVSRAM).

• Se emplea una memoria EEPROM o memoria rápida

• Se utiliza FRAM actuales

Las NRAM actuales son de alta velocidad, alta densidad, no volátiles, consumen poca potencia y tienen gran duración (pueden leer y escribir casi un ilimitado numero de veces)

Respaldo de baterías de las SRAM

El respaldo de baterías es un método para resolver el problema de la volatilidad de las SRAM . las RAM CMOS se utiliza en conjunto con un sistema de respaldo de batería debido a que consumen muy poca potencia y por lo general se utilizan baterías de litio para respalda los datos en una SRAM CMOS . la SRAM se alimenta de la fuente de alimentación del equipo una ves apagada la fuente de energía esta disminuye a un nivel bajo dado esto la batería de respaldo se conmuta con el fin de conservar el contenido de sram el uso de sram con respaldo se utiliza en los sistemas de microcomputadoras.

LA NVSRAM

Combina las facilidades de lectura y escritura de una sram con la volatilidad de una EEPROM. Las memorias NVRAM parecen tener una ventaja respecto a las SRAM con respaldo de batería. Tienen mejor velocidad de acceso y tiene mayor vida útil tan bien son mas pequeño que sram y ahorran espacio en la tarjeta de la pc.

Memoria flash o rápida

La EEEPROM rapidas representa una alternativa de bajo costo de las sram y nvsram esta se utilizan ampliamente el las laptop.

Ram ferroelectrica

Es una memoria de alata velocidad pero no es volátil no requiere alimentación constante por batería tiene un bajo consumo de pontencia eléctrica una opción excelente para su en dispositivos digitales portátiles

Ram magnetorresistiva

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