Diodo semiconductor
Torin1711Documentos de Investigación13 de Diciembre de 2022
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Preparatorio 3
DIODO SEMICONDUCTOR
Cristian David Vaca Oña GR3-2
Laboratorio de Dispositivos Electrónicos
cristian.vaca@epn.edu.ec
Ing. William Coloma, 12 de diciembre de 2022
Resumen. – Con la realización de este preparatorio se busca comprender y familiarizar al estudiante con los equipos de electrónica del laboratorio, así como la adquisición de destrezas para hacer un manejo eficiente de los mismos.
- INTRODUCCION
El diodo es un dispositivo semiconductor formado por la unión de un material p y un material n. Por la construcción del dispositivo, éste solo permite el flujo de cargas en un sentido y lo impide en el sentido contrario.
- OBJETIVOS
Identificar las regiones de operación en la curva característica del diodo.
Comprobar el comportamiento del diodo en polarización directa e inversa.
- DESARROLLO
1.- Realizar una tabla resumen con las características eléctricas más importantes del diodo 1N4007.
El diodo 1N4007 es uno de los diodos de una serie muy utilizados en infinidad de equipos electrónicos. Se utiliza principalmente para convertir la corriente alterna en directa. Su encapsulado es de tipo DO-41. [1]
Sus principales características pueden ser determinadas de la siguiente manera:
CARACTERÍSTICAS | |
Tensión inversa de pico máximo | 1 [Kv] (VRRM) max |
Tensión máxima en un circuito rectificador de media onda con carga capacitiva | 500 [V] (Vef) |
Rango de temperatura | -65 [°C] a 125 [°C] |
Caída de tensión | 1,1 [V] (VF) max |
Corriente en sentido directo | 1 [A] (lf) |
Corriente máxima de pico | 30 [A] (lfsm) max |
Tabla 1. Características principales del diodo 1N4007
2.- Describir las regiones de la curva característica del diodo.
Con la polarización directa los electrones portadores aumentan su velocidad y al chocar con los átomos generan calor que hará aumentar la temperatura del semiconductor. Este aumento activa la conducción en el diodo. Las regiones de la curva característica del diodo son las siguientes:
[pic 1]
Fig 1. Característica I/V de un diodo semiconductor
Podemos decir que con una polarización directa superior a la tensión umbral el diodo conduce con una resistencia baja. (Tensión umbral se encuentra donde la curva comienza a elevarse)
Con una polarización inversa la corriente inversa es despreciable.
Si la polarización inversa supera la tensión de ruptura la corriente puede destruir al diodo. (Tensión umbral se encuentra donde la curva comienza a descender) [2]
3.- Esquematizar un circuito en serie que contenga una fuente de voltaje continuo, una resistencia y un diodo 1N4007; de tal forma que el diodo se encuentre:
a) polarizado directamente;
[pic 2]
b) polarizado inversamente.
[pic 3]
4.- Determinar el voltaje en la resistencia y el voltaje en el diodo de los circuitos esquematizados en el numeral 5.3, considerando 𝑉CC = 8 V y 𝑅L = 3,3 kΩ.
Aplicando Ley de Ohm obtengo:
[pic 4]
[pic 5]
Teniendo en cuenta la corriente que circula por el circuito puedo hallar el voltaje de la resistencia:
[pic 6]
[pic 7]
[pic 8]
Por otro lado, el voltaje en el diodo se determina haciendo una resta del voltaje total con el voltaje propio del diodo, al tratarse de un diodo de silicio “característica del diodo 1N407” obtengo lo siguiente:
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