Diodos Semiconductores

Lo desarrollado en los años recientes ha creado sistemas tan pequeños que proponen el encapsulado para obtener algunos medios para manipular el dispositivo y asegurar que las conexiones permanezcan fijas en forma adecuada en la base del conductor.

MATERIALESSEMICONDUCTORES

Un semiconductor es un material que posee un nivel de conductividad sobre algún punto entre los extremos de un aislante y un conductor.

El cambiar las características del material en forma significativa a través de este proceso, es otra razón por la cual el Ge y el Si son muy conocidos. Se dice que los materiales como Si y Ge que muestran una reducción en resistencia con el incremento en la temperatura, tienen un coeficiente de temperatura negativo.

Los materiales intrínsecos son aquellos que han sido cuidadosamente refinados para reducir las impurezas a un nivel muy bajo. .El incremento en la temperatura de un semiconductor generara un incremento sustancial en el número de electrones en el material.

Las características de un diodo ideal son aquellas de un interruptor que puede conducir corriente en una sola dirección. Es un circuito cerrado para la región de conducción y un circuito abierto en la región de no conducción.

En la descripción de los elementos que se presentan a continuación es importante que se definan los diferentes símbolos de letras, polaridades de voltajes y direcciones de corriente.

NIVELES DE ENERGIA

Existen niveles y estados de energía máximos en los cuales se puede encontrar cualquier electrón y una región prohibida entre la banda de valencia y el nivel de ionización. Mientras más distante se encuentre el electrón del núcleo, mayor es el estado de energía y cualquier electrón que haya dejado a su átomo tiene un estado de energía mayor que cualquier electrón en la estructura atómica.

MATERIALES EXTRINSECOS: MATERIALES TIPO n Y TIPO p

El tipo p se genera mediante el dopado de un cristal puro de germanio con átomos de impureza que poseen tres electrones de valencia. El material resultante tipo hablando eléctricamente neutro por las mismas razones descritas para el material tipo n. En caso de que el electrón de valencia adquiera suficiente energía cinética para romper su unión covalente, entonces se creará un hueco en la unión covalente que liberó el electrón.

El tipo n es creado por la introducción de elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia como pueden ser el antimonio, el arsénico y fósforo. Aunque un número importante de portadores libres se han creado en el material tipo n, éste aún es eléctricamente neutro debido a que de manera ideal el número de protones cargados positivamente en los núcleos es todavía igual al número de electrones libres cargados negativamente y en órbita en la estructura.

DIODOSEMICONDUCTOR

Si una potencial externo d V volts es aplicada a través de la unión p-n de forma que la terminal positiva se encuentre conectada con el material tipo n y la terminal negativa esté conectada con el material tipo p. Un diodo semiconductor tiene polarización directa cuando se ha establecido la asociación tipo p y positivo y tipo n negativo.

Mientras incrementa en magnitud la polarización aplicada la región de agotamiento continuará disminuyendo su anchura hasta que un flujo de electrones pueda pasar a través de la unión.

Los diodos de silicio tienen un PIV y un valor de corriente más alto y rangos más amplios de temperatura de los diodos de germanio.

La región zener del diodo semiconductor se debe evitar si la respuesta de un sistema no debe ser alterada por el severo cambio en las características de esta región de voltaje inverso.

Hablando de la corriente de saturación inversa es casi igual al doble en magnitud por cada 10 grados de incremento en la temperatura.

CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS

Un circuito equivalente es una combinación de elementos que se eligen en forma adecuada para representar las características terminales reales de un dispositivo en una región de operación en particular.

Circuito equivalente simplificado

Dice que un diodo de silicio con polarización directa

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