Laboratorio Mecánica Cuántica

INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESIME CULHUACAN

Carrera: Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica

Asignatura: Laboratorio Mecánica Cuántica

Semestre Cuarto

PRACTICA

TRANSISTORES BIPOLAR 3

Objetivo

Analizar los dos circuitos de polarización planteados para lograr las especificaciones dadas.

Armar los circuitos analizados para medir el punto de operación

DESARROLLO

I, Analice los circuitos de polarización mostrados en la figura 1 y 2 para calcular los puntos de operación, así como su curva de carga de C.D..

=150 , VBE= 0.7 V

=150 , VBE= 0.7 V

II. Armar los circuitos 1 y 2 analizador como el objetivo de medir el punto de operación corriente de base y calcular la Beta del transistor bipolar de la tabla 1 y comparar los valores calculados teóricamente.

Circuito Valor teorico Valor practico

VCE IB IC hfe VCE IB IC hfe

Simple de polarización

Básico de polarización

PRACTICA

CURVA DEL TRANSISTOR

1. Introducción.

Los transistores son dispositivos semiconductores que permiten el control y la regulación de una corriente mediante una señal relativamente pequeña. Debido a su construcción, se pueden clasificar en dos tipos, NPN y PNP, cuya diferencia reside en el sentido de conducción, simbolizado por la flecha dibujada en el emisor (Figura 1).

El comportamiento del transistor puede analizarse tomando en consideración sus características de entrada (terminales base-emisor) y sus características de salida, es decir, el control ejercido sobre los terminales colector-emisor por el circuito de entrada. Desde el punto de vista de su funcionamiento eléctrico, los terminales base y emisor se asemejan a un diodo. Se producirá circulación de corriente, solamente cuando la polaridad de los potenciales aplicados Corresponda a la polaridad del diodo base-emisor. O sea que cuando la diferencia de potencial del elemento representado por un diodo (base-emisor), sea mayor que la tensión de juntura, éste conducirá.

Si se aplica una fuente de tensión de polaridad adecuada a los terminales base-emisor se producirá una corriente de base IB, determinada

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