Los semiconductores

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U N I V E R S I D A D   A U T Ó N O M A   D E   N U E V O   L E Ó N

FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA  

                              Electrónica I

                                     Tarea No.1

                                          Docente: Saul Cantú Estrada

Cd. Universitaria a 04 de septiembre de 2020

Los semiconductores se componen a base de átomos individuales y estos están unidos entre ellos mismos, en una estructura y existen 2 estructuras las cuales son regular y periódica y forman como un entreramado en el que cada átomo esta rodeado por 8 electrones.

Cada átomo de silicio tiene cuatro electrones de valencia que estas son compartidos y forman un enlace covalente con los cuatro átomos de circundantes.

Un átomo está conformado por un núcleo y este mismo núcleo esta formado por un núcleo de protones en el cual vienen teniendo (carga positiva) y los neutrones (son partículas que no contiene carga) rodeado de electrones. El núcleo de los electrones y protones es igual, de tal manera que en el átomo es eléctricamente neutro.

Los electrones que rodean a cada átomo en un semiconductor son un enlace covalente. Un enlace covalente se compone de dos átomos quiere decir que están en un solo electrón. Cada átomo forma 4 enlaces covalentes con los 4 átomos circundantes. Por lo tanto, entre cada átomo y sus 4 átomos circundantes, 8 electrones se comparten.

Modelo atómico de Dalton, Rutherford, Bohr y Schrödinger.

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Unión PN: Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por un lado e impurezas tipo N por otro, se forma una unión PN.

Los electrones libres de la región N más próximos a la región P se difunden en ésta, produciéndose la recombinación con los huecos más próximos de dicha región. En la región N se crean iones positivos y en la región P se crean iones negativos.

Unión PN polarizada en directo: Si se polariza la unión PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila a la región P y el polo negativo a la región N, la tensión U de la pila contrarresta la «barrera de potencial» creada por la distribución espacial de cargas en la unión, desbloqueándola, y apareciendo una circulación de electrones de la región N a la región P y una circulación de huecos en sentido contrario.

[pic 5]Unión PN polarizada en inverso: Si se polariza la unión PN en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a la región N y el polo negativo a la región P (figura 6), la tensión U de la pila ensancha la «barrera de potencial» creada por la distribución espacial de cargas en la unión, produciendo un aumento de iones negativos en la región P y de iones positivos en la región N, impidiendo la circulación de electrones y huecos a través de la unión. 

estado puro, que no contiene ninguna impureza, n átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encentran presentes en la banda de conducción.

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