Semiconductor Tipo N
Enviado por melvistellez • 26 de Marzo de 2014 • Informes • 392 Palabras (2 Páginas) • 272 Visitas
Semiconductor Tipo N
Se construyen con Silicio o Germanio que tienen una valencia atómica de 4
electrones. Los átomos que se usan como impurezas son los de arsénico,
antimonio y fósforo.
Se obtienen llevando a cabo un proceso de dopado o adición de un
componente donante impuro de 5 electrones de valencia, de tal manera que al
formarse los enlaces covalentes, queda sobrando un electrón no enlazado
consiguiendo un material semiconductor con exceso de electrones o carga
negativa.
Este electrón extra da como resultado la formación de electrones libres, el
número de electrones en el material supera ampliamente el número de huecos,
en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los
portadores minoritarios.
Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más
débilmente vinculados a los átomos del semiconductor.
Semiconductor Tipo P
Se obtienen llevando a cabo un proceso de adición de un componente impuro
de 3 electrones de valencia para poder aumentar el número de portadores de
carga libres (en este caso positivos, huecos), de tal manera que al formarse los
enlaces covalentes, sucederá ausencias de electrones de valencia llamados
huecos.
Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más
débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante
es también conocido como material aceptador. El propósito del dopaje tipo P es
el de crear abundancia de huecos.
Universidad Nacional Abierta y a Distancia - UNAD
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
Unidad de Ciencias Básicas
Cualidades del semiconductor Puro (Intrínseco) con respecto a los
materiales impuros que se le adicionan (Extrínseco)
Los principales materiales que presentan propiedades semiconductoras son
elementos simples,
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