Memorias PROM

ELECTRONICA DIGITAL II

MEMORIAS

INTEGRANTES

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Noviembre 2014

Coronel Oviedo

Memorias PROM

PROM es el acrónimo en inglés de programmable read-only memory, que significa «memoria de solo lectura programable». Las PROM (Programmable ROM) son memorias ROM vírgenes que se hallan dispuestas para ser programadas por el adquisidor para su aplicación específica. En el proceso de grabación se utiliza la técnica de conexionado interno de matrices de diodos. Lo que se realiza es hacer saltar las necesarias conexiones internas de la matriz para configurar las cifras binarias que han de quedar grabadas en ella.

MATRIZ DE CELDAS

Programación de memoria ROM

Programación. Para conseguir que la información que se desea grabar sea inalterable, se utilizan dos técnicas: Programables por mascara (en la fábrica), proporcionan mejores prestaciones. Son las denominadas de conexiones hardwired. Programables en el campo (field) por el usuario final. Son las EPROM y las EEPROM, proporcionan peores prestaciones, pero son menos costosas para volúmenes pequeños de producción y se pueden programar de manera inmediata Una PROM común se encuentra con todos los bits en valor 1 como valor por defecto de fábrica; el quemado de cada fusible, cambia el valor del correspondiente bit a 0. La programación se realiza aplicando pulsos de altos voltajes que no se encuentran durante operaciones normales (12 a 21 voltios). El término Read-only (sólo lectura) se refiere a que, a diferencia de otras memorias, los datos no pueden ser cambiados (al menos por el usuario final).

Memorias EPROM

Las EPROM, o Memorias sólo de Lectura Reprogramables, se programan mediante impulsos eléctricos y su contenido se borra exponiéndolas a la luz ultravioleta para poder volver a ser grabadas.

Esta Memoria puede reprogramarse. Tiene una ventana de cuarzo a través de la cual se exponen los circuitos interiores del chip. Cuando se aplica luz ultravioleta a través de la ventana se produce una reacción química que borra el contenido. Para realizar este proceso es necesario retirar el chip de la computadora.

Lámpara borradora de EPROM

• El circuito integrado 27c16b

Esta memoria de 24 pines tiene una capacidad de 2048 palabras de 8 bits, es decir 2KB. Las salidas de esta memoria son triestado, lo que permite escribir o leer los datos con el mismo bus de datos.

Características Técnicas

Referencia

27C16B

Tipo

EPROM CMOS

Capacidad (bits)

2048 X 8

Tipo de salida

(5V) (Vp=12.75V)

Tiempos de Acceso

150/250 ns

Encapsulado

DIL-24

Esta memoria tiene dos pines no indicados inicialmente:

• VPP: Es utilizado durante la programación.

• CE’/P (Chip Enable’/Program): Utilizado para seleccionar el chip (en caso de emplearse en forma conjunta con otros) y para programar la posición de memoria seleccionada en el bus de direcciones.

Durante la programación de la memoria, la entrada OE’ se debe encontrar en 1. En la entrada debe estar presente una tensión de 5V, así como en los datos y la dirección de memoria. Después de ello, se aplica pulso de tensión durante 30 ms aproximadamente, para almacenar los datos.

Como se vió anteriormente, el borrado de este tipo de memoria se efectúa mediante la exposición del integrado a luz ultravioleta. Una lámpara UV de 12mW, puede ser utilizada para efectuar este proceso, el cual tarda entre 20 y 25 minutos.

• Memorias UV EPROM (circuitos integrados)

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