Polarización del transistor BJT
Enviado por holasoyestefani • 19 de Agosto de 2023 • Documentos de Investigación • 1.739 Palabras (7 Páginas) • 72 Visitas
República Bolivariana de Venezuela
Ministerio del Poder Popular para la Educación
Instituto Universitario Politécnico Santiago Mariño
Extensión Porlamar
[pic 1]
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT
Prof. Omer Chirinos Alumno.
Electrónica I Estefanía Gil
CI 27.525.552
Ing. Electrónica #44
[pic 2]
[pic 3]
Aplicamos Teorema de Thévenin
[pic 4]
R2
VTH = VCC. -----------------------; [pic 5]
R1 + R2
6K
VTH = 20. -----------------------; VTH = 3.75V
32K
R1. R2 26K. 6K
RTH = -----------------------; RTH = --------------------
R1 + R2 26K + 6K
156k
RTH = --------------; RTH = 4.875K
32k
[pic 6]
Aplicamos Ley de Voltaje de Kirchoff
-VCC + VRB+ VBE + VRE = 0
-VCC + IB.RB+ VBE + IE.RE =0
-3.75 + IB (4.875k) + 0.7V + (β+1) IB.RE = 0
Vcc – VBE 3.75V – 0.7V
IB=------------------------------; IB=-------------------------------------
RB + RE (Beta+1) 4.875K + 1K (34+1)
3.05V 3.05
IB=-------------------------------; IB=------------------------------------
4.875K + 1K. (35) 4.875K + 35K
3.05V
IB=----------------; IB=0.076 miliamperios
39.875
IC= Beta x IB
IC= 34 x 0.076miliA
IC= 2.584 miliA
VCE = VCC - IC. (RC+RE)
VCE= 20v – 2.584 miliA x (2K+1K)
VCE= 20v – 2.584 miliA x 2K
...