TRANSISTORES BIPOLARES BJT
Enviado por rodrigo9250 • 18 de Noviembre de 2018 • Ensayos • 1.502 Palabras (7 Páginas) • 248 Visitas
TRANSISTORES BIPOLARES BJT.
NOMBRE:
CARRERA: AUTOMATIZACION Y CONTROL INDUSTRIAL
ASIGNATURA:
PROFESOR:
FECHA: 11-05-2017
Introducción.
Los transistores de unión bipolares o BJT, corresponden a dispositivos de estado sólido, los cuales poseen tres terminales y que se emplean como núcleos de circuitos de conmutación y en el procesado de señales, en este caso en circuitos de amplificación.
El transistor en los últimos años, se ha convertido en uno de los dispositivos más utilizados y empleados en circuitos electrónicos, a la vez se han ido realizando mejoras en el, ya sea en el incremento de sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas; y que adema entrega una gran fiabilidad.
En el área de la automatización estos dispositivos también son muy empleados, por lo cual debemos conocer sus características para así aprovecharlas y aplicarla en los circuitos de control que se pueden diseñar a partir de estos.
Objetivos.
Por medio de una actividad practica visualizar las características de los transistores bipolares.
Medir y graficar las curvas características de colector para un transistor BJT.
Utilizar las curvas características para determinar el DC del transistor en un punto dado.
Conocer algunas aplicaciones prácticas de los transistores BJT.
Marco Teórico.
Constitución interna de un BJT.
Corresponde a un dispositivo de tres terminales, emisor, base y colector, que es equivalente a dos diodos PN unidos en un sentido opuesto. Existen dos tipos en relación a la situación de unión y encontramos los NPN y PNP.
La unión que corresponde a la Base-Emisor, se polariza de manera directa; y en la unión correspondiente a Base-Colector entonces circulara una corriente inversa.
En un NPN, la región del emisor tiene mayor dopaje que la base, al polarizar la unión Base-Emisor en directa, y la unión Base-Colector en inversa, los portadores libres que proceden del emisor, llegan a la base con mucho menor número de huecos, por lo que son atraídos a colector, para ello debe tener mayor dopaje.
A continuación, observamos de manera esquemática ambos transistores:
[pic 3]
La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de la zona consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos terminales se representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emisor), B (base) y C (colector).
La zona de emisor es la más fuertemente dopada de las tres, es la zona encargada de “emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de un transistor pnp o electrones en el caso del transistor npn.
La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misión es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el colector.
La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o “colectar” los portadores que inyectados por el emisor han sido capaces de atravesar la base. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.
Alfa de continua.
Simbolizada αdc se define como la comente continua de colector dividida por la corriente continua de emisor.
[pic 4]
Beta de continua.
Simbolizada βdc de un transistor se define como la relación entre la corriente continua del colector y la corriente continua de la base:
[pic 5]
La beta de continua se conoce también como la ganancia de corriente porque una pequeña corriente de base produce una corriente mucho mayor de colector. La ganancia de corriente es una gran ventaja de un transistor y ha llevado a todo tipo de aplicaciones. Para transistores de baja potencia (por debajo de 1 W), la ganancia de corriente es típicamente de 100 a 300. Los transistores de alta potencia (por encima de 1 W) normalmente tienen ganancias de corriente entre 20 y 100.
Zonas de funcionamiento.
Este dispositivo tiene cuatro zonas de funcionamiento posibles en función del estado de polarización en el que se encuentren las uniones.
Si polarizamos las dos uniones en directa, podemos decir que el transistor está trabajando en la zona de saturación.
Si polarizamos la unión de emisor en directa y la unión de colector en inversa, estaremos en la zona activa.
Si polarizamos ambas uniones en inversa, diremos que el transistor esta en zona de corte.
Finalmente, cuando la unión de emisor ser polariza en inversa y la unión de colector en directa, el transistor se encuentra en la zona activa inversa.
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