TRANSISTORES BJT
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TRANSISTORES BJT
Marco Antonio Pino Lima
ELECTRONICA I
Instituto IACC
21 de junio de 2021
Desarrollo
1.- en la siguiente tabla se muestra los símbolos de los transistores NPN y PNP explique en cada una de ellas en qué dirección fluye la corriente de base y colector una vez polarizados.
Transistor BJT | Polarización del transistor BJT | Dirección de las corrientes ()[pic 1] |
Transistor NPN:[pic 2] | [pic 3] | Según la dirección convencional de la corriente y utilizando las leyes de kirchhoff, la suma de todas las corrientes que entran a un punto es igual a la suma de todas las corrientes que salen de ese punto. En este caso una vez polarizado el transistor, la corriente que fluye por terminal de colector llega desde la fuente al transistor y de igual manera lo hace la corriente de la base, en el transistor se hace la suma de esas dos corrientes y por ende en el terminal de emisor tenemos el total de la suma de dichas corrientes. De esta manera llegamos a la siguiente relación: . [pic 4] De igual forma podemos apreciar en la imagen del lado izquierdo que la corriente de base es mucho más pequeña que la corriente de colector. |
Transistor PNP: [pic 5] | [pic 6] | En esta configuración para poder operar el transistor las fuentes se invierten en su polaridad, y según la dirección convencional de la corriente y las leyes de kirchhoff podemos explicar que, una vez polarizado el transistor la corriente que fluye por el terminal de colector sale desde el transistor hacia la fuente, al igual que la corriente de base, pese a que la configuración del polarizado en este transistor ha cambiado la relación de las sumas de las corrientes mediante la ley de kirchhoff se sigue cumpliendo como: . en este caso se puede apreciar en la imagen del lado izquierdo que la corriente de base también es mucho menor que la corriente que circula por el terminal de colector.[pic 7] |
Explicando un poco más la tabla anterior.
Transistor NPN:
Este tipo de transistor consta de tres regiones que se identifican como: colector, base y emisor. Conformadas de la siguiente manera: región de colector esta dopada con electrones que conforman un material de tipo N, la región de base consta de un material tipo P y esta dopada de huecos, finalmente la región de emisor consta de un material tipo N y está fuertemente dopada de electrones. En cambio, la base esta levemente dopada y el colector tiene un dopaje intermedio entre el emisor y la base, encontrando una zona de deplexión entre las regiones de colector y base, lo cual se puede traducir en la existencia de una barrera de potencial cuyo voltaje dependerá del tipo de material con que este confeccionado. Lo mismo ocurre en las regiones emisor y base con la barrera de potencial.
Transistor PNP:
Este tipo de transistor al igual que el anterior también consta de tres regiones que se identifican como: colector, base y emisor. Conformadas de la siguiente manera: región de colector esta dopada con huecos que conforman un material de tipo P, la región de base consta de un material tipo N y esta dopada de electrones, finalmente la región de emisor consta de un material tipo P y está fuertemente dopada de huecos. En cambio, la base esta levemente dopada y el colector tiene un dopaje intermedio entre el emisor y la base, encontrando una zona de deplexión entre las regiones de colector y base, lo cual se puede traducir en la existencia de una barrera de potencial cuyo voltaje dependerá del tipo de material con que este confeccionado. Lo mismo ocurre en las regiones emisor y base con la barrera de potencial.
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