Matriz Resuelta Por El Metodo De Gauss Jordan Y En Excel
juankts26 de Mayo de 2013
637 Palabras (3 Páginas)1.237 Visitas
UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA
UNAD
FISICA DE SEMICONDUCTORES
APORTE COLABORATIVO
TRABAJO COLABORATIVO 2
GRUPO: 299002-140
ESTUDIANTE:
TUTOR:
ORLANDO HARKER
MAYO DE 2013
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)
Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado sólido de tres terminales, núcleo de circuitos de conmutación y procesado de señal.
CONSTITUCION INTERNA DE UN BJT
Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en sentido opuesto.(Emisor, Base y Colector)
En función de la situación de las uniones, existen dos tipos: NPN y PNP.
La unión correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la Base-Colector en inversa. Así, por la unión Base-Colector circula una corriente inversa.
TRANSISTOR BIPOLAR NPN
En NPN, la región de emisor tiene mayor dopaje que la base. Al polarizar la unión Base-Emisor en directa, y la Base-Colector en inversa, los electrones libres que proceden del emisor llegan a la base, con mucho menor número de huecos, por lo que son atraídos por el colector (con alta concentración de impurezas).
Está formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas mencionadas (E, B, C).
El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base.
En la base se gobiernan dichos portadores.
En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base.
Unión emisor: es la unión pn entre la base y el emisor.
Unión colector: es la unión pn entre la base y colector.
Cada una de las zonas está impurificada en mayor o menor grado. La base 100 veces menos que el colector o emisor.
La base tiene menor tamaño, después el emisor y a 2 veces de espesor el colector.
TRANSISTOR BIPOLAR PNP
El BJT pnp está formado también por un cristal semiconductor con tres regiones definidas por el tipo de impurezas.
• Las tensiones de continua aplicadas son opuestas a las del npn.
• Las corrientes fluyen en sentido contrario al del npn.
Por lo demás, este dispositivo es similar al npn.
• El BJT pnp desde el emisor emite huecos, controlada por la base. El exceso de huecos que no pueden recombinarse en la base van a parar al colector.
ECUACIONES DEL DISPOSITIVO
• Aplicando la 1ª Ley de Kirchhoff al BJT:
El parámetro a del BJT es el cociente corriente colector y corriente de
emisor:
α oscila entre 0,9 y 0,999. Así pues, es el colector quien proporciona la mayor parte de corriente del emisor.
La unión pn base – emisor cumple la ecuación (Shockley):
Sustituyendo la corriente del emisor:
Para una tensión base emisor superior a unas décimas de voltio, la exponencial hace despreciable la unidad del interior del paréntesis.
• Sustituyendo la intensidad de colector utilizando las dos primeras ecuaciones:
Definiendo b como:
La relación entre a y b es:
EL BJT EN CONMUTACION
• Los circuitos de conmutación son aquellos en los que el paso de bloqueo a saturación se considera inmediato, es decir, el transistor no permanece en la zona
...