TRABAJO COLABORATIVO 1

CAD PARA ELECTRONICA

TRABAJO COLABORATIVO 1

OSMAN E. PEREZ LOPEZ

CARLOS ARTURO ROJAS

MARCO ALEXANDER HERNANDEZ

WILMAR JHIOVANI HERNANDDEZ

GRUPO 302526_24

UNIVERSIDAD ABIERTA Y A DISTANCIA – UNAD

Abril

2013

INTRODUCCION

Este trabajo está basado en la simulación de los diferentes problemas planteados en aplicación de

la amplificación y ganancia que se puede obtener de un transistor configurado como tal, donde

aplicaremos los conocimientos adquiridos con la lectura y asesorías recibidas.

El programa utilizado para cumplir con las especificaciones del trabajo, es el simulador Circuit

Maker, donde fue posible ver el funcionamiento del circuito de forma similar como la haría con

elementos reales.

Procedimiento

1.Realice el montaje de un circuito amplificador divisor de tensión con derivación a bjt (el

grupo determina la polarización del circuito).

2.Determine el valor de ganancia de tensión y corriente del amplificador montado para una

señal x a frecuencia f (el grupo determina el valor de frecuencia de la señal de entrada).

Ganancia voltaje= Vs/Ve = 2,01/0,007202= 279,09

Ganancia intensidad= Is/Ie = 2,01/7,596= 26,46

3. La frecuencia de la señal de entrada modifíquela y tome 10 valores diferentes por debajo

de f, aplíquela al amplificador y grafique simultáneamente la señal de salida y entrada y calcule

las ganancias de tensión y corriente, consigne esto en una tabla de datos.

4. La frecuencia de la señal de entrada modifíquela y tome 10 valores diferentes por encima

de f, grafique simultáneamente la señal de salida y entrada y calcule las ganancias de tensión y

corriente, consigne esto en la misma tabla anterior.

Esta tabla se desarrolla a partir de la siguiente ecuación característica de los transistores:

β= IC/IB

Dónde:

β = Ganancia del transistor

IC = Corriente del colector.

IB = Corriente de base

Frecuencia de entrada en la base del transistor

Frecuencia de salida del transistor

Frecuencia límite de 30 KHz

Frecuencia de entrada en la base del transistor

Frecuencia de salida del transistor

Frecuencia máxima de prueba de 1000 KHz o 1MHz

Frecuencia de entrada en la base del transistor

Frecuencia de salida del transistor

Frecuencia IB (nA) IC (nA) β

30 Hz 0,9077 24,02 26,46

100 Hz 3 73,64 26,47

500 Hz 6,576 174,1 26,47

1 KHz 7,165 189,6 26,46

8 KHz 7,539 199,6 28,51

10 KHz 7,553 199,9 26,61

15 KHz 7,574 200,5 26,47

20 KHz 7,584 200,8 26,47

25 KHz 7,591 200,9 26,78

30 KHz 7,595 201 26,8

50 KHz 7,605 201,3 26,46

80 KHz 7,611 201,5 26,47

120 KHz 7,613 201,5 26,47

200 KHz 7,616 201,6 26,47

300 KHz 7,618 201,7 26,47

400 KHz 7,619 201,7 26,47

500 KHz 7,619 201,7 26,47

600 KHz 7,619 201,7 26,47

700 KHz 7,619 201,7 26,47

1000 KHz 7,619 201,7 26,47

5. Con base en los datos anteriores concluya y experimentalmente halle el valor de frecuencia

donde se obtiene la mayor amplitud de tensión en la señal de salida

Frecuencia Vb (mV) Vc (mV)

30 Hz 0,01043 0,24 230.10

100 Hz 0,01011 0,736 72.79

500 Hz 0,008051 1,741 216.24

1 KHz 0,007524 1,896 251.99

8 KHz 0,007231 1,996 276.03

10 KHz 0,007224 1,999 276.71

15 KHz 0,007214 2,005 277.93

20 KHz 0,007208 2,008 278.57

25 KHz 0,007205 2,009 278.83

30 KHz 0,007202 2,01 279.08

50 KHz 0,007199 2,013 279.62

80 KHz 0,007196 2,015 280.01

120 KHz 0,007194 2,015 280.09

...