EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN (JFET)

“EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN (JFET)”

OBJETIVOS

Identificar las terminales de un JFET así como examinar los métodos de polarización del JFET y determinar que produce un punto Q estable.

INTRODUCCIÓN

El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados.

Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).

La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente polarizadas.

En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a través de canal.

Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para que la unión p-n se encuentre polarizado inversamente.

Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensión a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente.

Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o drenador a source o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensión drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones básicas de operación: corte, lineal, saturación y ruptura. A continuación se realiza una descripción breve de cada una de estas regiones para el caso de un NJFET.

EQUIPO

Fuente de voltaje de CD. Multímetro.

Generador de funciones.

Osciloscopio.

MATERIAL

Alambres y cables para conexiones

Tableta de conexiones

1 Resistencia de 100kW a ½ watt R1

1 Resistencia de 33kW a ½ watt R2

1 Resistencia de 6.8kW a ½ watt R3

1 Resistencia de 2.2kW a ½ watt R4

1 Resistencia de 1kW a ½ watt R5

1 Resistencia de 680W a ½ watt R6

1 Resistencia de 470W a ½ watt R7

3 Transistores JFET 2N3819 o 2N5245 T1, T2 y T3

PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL

1. Arme el circuito de la figura 10.2. Medir la corriente de drenado, IDSS. Anote este valor en la tabla 1.

Nota: Debido a los efectos de calor, la corriente de drenado puede disminuir lentamente. Tome su lectura tan pronto como sea posible después de encender la fuente de alimentación.

2. Repita el paso 1 para los otros 2 JFET (numérelos para no confundirse) anotando sus valores en la tabla 10.1.

JFET I_DSS V_(GS(off))

2N4392(1) 6.41 mA -2.42

2N4392(2) 6.41 mA -2.57

2N4392(3) 6.82 mA -2.68

3. Arme el circuito de la figura 10.3. Inserte el primer JFET en el circuito.

4. Aumente el voltaje de alimentación negativo de la compuerta hasta que la corriente de drenado caiga aproximadamente a un 1µA. Con el multímetro mida y anote el valor de VGS(off) en la tabla 10.1.

5. Repita el paso anterior para cada uno de los otros JFET.

6. Arme el circuito mostrado en la figura 10.4. Medir VGS, ID y VDS. Anote los valores obtenidos en la tabla 10.2 para cada JFET.

JFET V_GS I_D V_DS

2N4392(1) -1.56 0.95 mA 9.57

2N4392(2) -1.56 1.66 mA 9.52

2N4392(3) -1.56 1.38

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