UNIDAD 5. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

UNIDAD 5. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

ACTIVIDADES DE APRENDIZAJE

1.-Explicar el principio de operación de JFET  a partir de su construcción y polarización.

Principio de operación a partir de su construcción.

Este transistor de efecto de juntura su principio de funcionamiento se basa en el efecto de campo, para poder explicar y entender mejor utilizare la siguiente imagen. Mediante la animación representaremos al transistor JFET (figura 1) como un  cilindro y la parte rosa representado por un semiconductor (este pude ser tipo n o p, dependiendo de su polaridad) vemos un corte transversal de dicho cilindro rodeado por un anillo de color verde donde se forma la unión PN como en cualquier unión que se forma, se genera alrededor de la unión una región de deplexión de portadores que representa a la zona verde de un todo más bajo.

[pic 1]

                                     Figura 1.

Ambos tipos presentan tres electrodos o terminales:

-Fuente o surtidor (S): terminal por donde entran los portadores provenientes de la fuente externa de polarización.

-Drenador (D): terminal por donde salen los portadores procedentes de la fuente y que atraviesan el canal.

-Puerta (G): terminal constituido por regiones altamente impurificadas (zona de dopado) a ambos lados del canal y que controla la cantidad de portadores que atraviesan dicho canal.

Tipos de canal del JFET.

Los JFET de canal N (figura 2) están constituidos por una barra de material semiconductor tipo N, denominada “canal”, con dos regiones de material semiconductor tipo P.

[pic 2]

           Símbolo [pic 3]

[pic 4]

Figura 2.

Mientras que en los JFET de canal P (figura 3), la barra o canal es de material semiconductor tipo P, rodeada por dos regiones de material N.

[pic 5][pic 6]

           Símbolo

[pic 7]

Figura 3.

2.-Explicar el principio de operación de MOSFET´s a partir de su construcción y polarización.

Se basan en el efecto de campo producido entre dos placas paralelas separadas por un dieléctrico. Los MOSFET (figura 4) se construyen sobre un semiconductor (tipo N o P) que se llama sustrato. Sobre este semiconductor se funden el sumidero y el drenaje (entrada y salida) que es un semiconductor contrario al semiconductor usado para el sustrato.[pic 8]

Figura 4.

Este consta de 4 partes pero solo tiene 3 terminales, ya que el sustrato está unido siempre a la puerta, formando una terminal única del transistor.

-Fuente (S) Y  Drenaje (D): son semiconductores; a un lado está el terminal llamado fuente. Al otro lado el terminal llamado Drenaje o salida. Entre estos dos terminales pasa la corriente cuando activamos G por medio de tensión y la corriente cuando se activa el transistor entra por S y sale por D, siempre que G tenga una tensión mínima, llamada tensión Umbral.

-Compuerta (G): la parte de arriba es un metal conductor y la de abajo el óxido. 

-Sustrato (B): capa de semiconductor base o sustrato contrario al semiconductor de S y D.

Tipos de canal del JFET.

Si el MOSFET es de canal n (figura 5) entonces las regiones de dopado para el surtidor y el drenador son regiones n+ y el sustrato es una región de tipo p. También en la figura 6 podemos observar la simbología del canal tipo n.

[pic 9][pic 10]

                             Figura 5.                                            Figura 6.

Si el MOSFET es de canal p (figura 7) entonces las regiones de dopado para el surtidor y el drenador son regiones p+ y el sustrato es una región de tipo n. También en la figura 8 podemos observar la simbología del canal tipo n.

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