TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. RESUMEN
Enviado por Steve Alexander • 15 de Mayo de 2018 • Ensayos • 3.556 Palabras (15 Páginas) • 399 Visitas
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
RESUMEN
El transistor de efecto de campo, es un tipo de semiconductor el cual basa su funcionamiento en una estructura de juntura unipolar, es decir a diferencia de un transistor TBJ, este nuevo tipo de transistores basa su estructura en un unión entre dos capas, las cuales pueden ser N y P, y el orden de estas para formas el transistor va a crear el tipo de transistor ya sea del tipo n o del tipo p, por ejemplo para el tipo N, un material P se enrolla alrededor de un material M para crear el material semiconductor, este material N va a forma un canal, y es cuando entra el concepto de efecto de campo, donde este campo eléctrico va a controlar la conductividad del canal, es por esto que el JFET es considerado dentro de los semiconductores, este dispositivo electrónico tiene la particularidad de poseer tres partes igual que los TBJ, solo que en este caso se van a denominar, fuente, compuerta y drenador, es decir consta de tres pines, más adelante se va a analizar que ocurre cuando se aplica un determinado voltaje tanto a la compuerta como al drenador que influencia tiene en el canal y como puede ayudarnos esto a la polarización del JFET, el cual mediante una aplicación DC puede ser usado como un switch analógico, teniendo en cuenta las limitaciones basadas en los voltajes de saturación y de ruptura, este tipo de transistor se lo considera unipolar también porque solo van a actuar portadores mayoritarios ya sean estos huecos o electrones, dependiendo del tipo de transistor, también se tendrá en cuenta el estrangulamiento del canal el cual basa su función en los voltaje aplicado ya sea en el drenador como en la compuerta, por lo que este transistor de efecto de campo es un dispositivo controlado por voltaje.
INTRODUCCIÓN TEÓRICA
formando así un canal en cuyos extremos van a estar los terminales de fuente y de drenador y saliendo del material P el pin de compuerta, conforme se vaya aplicando un cierto voltaje positivo al drenador el canal va a presentar un estrangulamiento con prominencia hacia el lado del drenador, el paso de corriente a través del canal va a ser de forma casi lineal a través de un medio resistivo pero cuando finalmente se llega a la estrangulación se tiene una obstrucción al paso de electrones, todo esto ocurre cuando no se aplica un voltaje a la compuerta, por otro lado cuando se implementa el voltaje en la compuerta, este voltaje (negativo en capa n) va a producir el corte, estrangulamiento y por lo tanto conforma se vaya cerrando el canal la corriente en el drenador va a seguir disminuyendo, y por lo tanto se puede concluir que el JFET es un dispositivo controlado por voltaje
INDICE DE TÉRMINOS
JFET: (Junction Field Effect Transistor, Transistor de Juntura con efecto de Campo), es un tipo de semiconductor que utiliza el campo eléctrico para controlar la conductividad de su canal, dispositivo controlado por voltaje.
Estrangulamiento (JFET): momento de cierre del canal en el que el paso de electrones de un extremo (drenador-fuente) queda obstruido, esto por efecto de los voltajes aplicados.
Voltaje de corte (Vp): Voltaje aplicado en la compuerta del JFET, que produce que la corriente en el drenador sea nula y además se produce el estrangulamiento o corte en el canal.
El transistor de efecto de campo es un tipo de semiconductor controlado por voltaje, el cual tiene la singularidad de ser unipolar por actuar solamente portadores mayoritarios como electrones o huecos, entonces la juntura o unión de este tipo de dispositivos es solamente entre un material del tipo N y del tipo P, existen distintos tipos de transistor de efecto de campo como el JFET, el MOSFET, o MESFET, por el momento nos enfocaremos en los JFET, que son basados en la juntura de los material N y P antes mencionados propios de los semiconductores, entonces se va a tener dos tipos de JFET, los de capa n o los de capa p, para entender la juntura de un JFET se tendrá un transistor JFET del tipo n, el cual va a tener un material del tipo N y alrededor de este en forma de anillo un material del tipo P,
I. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Y SUS SEMEJANZAS Y DIFERENCIAS CON
LOS TBJ
Los transistores de efecto de campo son conocidos así debido a su interacción del campo eléctrico para su funcionamiento, este transistor es un dispositivo de juntura es decir se unen dos capaz con características atómicas especiales, en este caso la juntura NP, cabe recalcar que un transistor de efecto de campo tiene tres partes, la fuente (S), el drenador (D) y la compuerta (G):
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Figura 1: Simbología del transistor de efecto de campo, siendo S, la fuente, G, la compuerta y D, el drenador.
Este dispositivo de juntura NP, controla la corriente del drenador por medio de un campo eléctrico, (Vgs), entonces se producirá el efecto de campo para control, a este transistor se lo conoce como JFET o FET y está dentro del campo los transistores unipolares por la intervención para su funcionamiento solamente de portadores mayoritarios, ya sean estos electrones o huecos, esta es una diferencia con los TBJ, ya que en estos intervienen tanto portadores mayoritarios o minoritarios dependiendo del tipo de TBJ que se tenga.
Tenemos algunos tipos de JFET (Junction Field Effect Transistor, Transistor de Juntura con efecto de Campo), dentro de los cuales está el: JFET, MOSFET (Metal-oxide- semiconductor Field-effect transistor) y el MESFET (Transistor de efecto de campo de metal-semiconductor).
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Figura 2: JFET (a) canal n, (b) canal p.
Tenemos los dos tipos de JFET los que tienen la flecha apuntando al terminal de la compuerta (G) conocido como N, y los del tipo P, cuya fecha está apuntando hacia afuera de la compuesta (G), esto para indicar la dirección de las corrientes del transistor, esta es otra diferencia con los TBJ, los cuales se dividen en dos tipos también pero estos por ser transistores bipolares de juntura, tendrán configuraciones más deterministas como NPN o PNP.
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