El transistor efecto de campo circuitos de aplicación con MOSFET
Enviado por vicesau2000 • 15 de Marzo de 2023 • Prácticas o problemas • 1.284 Palabras (6 Páginas) • 32 Visitas
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
2023-1
[pic 1] | Laboratorio de Dispositivos y Circuitos Electrónicos | [pic 2] |
División: Ingeniería Eléctrica | División: Ingeniería Eléctrica |
Práctica 11
EL TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO CIRCUITOS DE APLICACIÓN CON MOSFET |
Profesor: Ing. Javier López Velázquez
Semestre 2023-1
[pic 3]
INTRODUCCIÓN:
Aplicaciones del MOSFET
Polarización del MOSFET
Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido, son similares al
circuito de polarización utilizada para JFET. La principal diferencia entre ambos
es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos
de funcionamiento con valor positivo de V
GS
para canal n y valor negativo de
V
GS
para el canal p. Para tener un valor positivo de V
GS
de canal n y el valor
negativo de V
GS
de canal p, es adecuado un circuito de auto polarización. Por lo
tanto hablamos de recorte de realimentación y circuito divisor de tensión para
mejorar el tipo MOSFET.
Polarización del MOSFET
Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido, son similares al
circuito de polarización utilizada para JFET. La principal diferencia entre ambos
es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos
de funcionamiento con valor positivo de V
GS
para canal n y valor negativo de
V
GS
para el canal p. Para tener un valor positivo de V
GS
de canal n y el valor
negativo de V
GS
de canal p, es adecuado un circuito de auto polarización. Por lo
tanto hablamos de recorte de realimentación y circuito divisor de tensión para
mejorar el tipo MOSFET.
Polarización del MOSFET
Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido, son similares al
circuito de polarización utilizada para JFET. La principal diferencia entre ambos
es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos
de funcionamiento con valor positivo de V
GS
para canal n y valor negativo de
V
GS
para el canal p. Para tener un valor positivo de V
GS
de canal n y el valor
negativo de V
GS
de canal p, es adecuado un circuito de auto polarización. Por lo
tanto hablamos de recorte de realimentación y circuito divisor de tensión para
mejorar el tipo MOSFET.
Polarización del MOSFET
Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido, son similares al
circuito de polarización utilizada para JFET. La principal diferencia entre ambos
es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos
de funcionamiento con valor positivo de V
GS
para canal n y valor negativo de
V
GS
para el canal p. Para tener un valor positivo de V
GS
de canal n y el valor
negativo de V
GS
de canal p, es adecuado un circuito de auto polarización. Por lo
tanto hablamos de recorte de realimentación y circuito divisor de tensión para
mejorar el tipo MOSFET.
Polarización del MOSFET
Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido, son similares al
circuito de polarización utilizada para JFET. La principal diferencia entre ambos
es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos
de funcionamiento con valor positivo de V
GS
para canal n y valor negativo de
V
GS
para el canal p. Para tener un valor positivo de V
GS
de canal n y el valor
negativo de V
GS
de canal p, es adecuado un circuito de auto polarización. Por lo
tanto hablamos de recorte de realimentación y circuito divisor de tensión para
mejorar el tipo MOSFET.
Polarización del MOSFET
Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido, son similares al
circuito de polarización utilizada para JFET. La principal diferencia entre ambos
es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos
de funcionamiento con valor positivo de V
GS
para canal n y valor negativo de
V
GS
para el canal p. Para tener un valor positivo de V
GS
de canal n y el valor
negativo de V
GS
de canal p, es adecuado un circuito de auto polarización. Por lo
tanto hablamos de recorte de realimentación y circuito divisor de tensión para
mejorar el tipo MOSFET.
Para que un MOSFET funcione como un interruptor ideal, debe tener las siguientes características
- En estado ON, debe haber una limitación de la corriente que transporta
- En el estado OFF, los niveles de tensión de bloqueo no deben tener ninguna limitación
- Cuando el aparato funciona en estado ON, el valor de la caída de tensión debe ser cero
- La resistencia en estado OFF debe ser infinita
- No debe haber limitación de velocidad
Como el mundo no se limita a las aplicaciones ideales, el funcionamiento de los MOSFETs también es aplicable para fines prácticos. En el escenario práctico, el dispositivo debe tener las siguientes propiedades
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