Transistor de efecto de campo de unión JFET
Enviado por Jaret López Sánchez • 4 de Octubre de 2021 • Apuntes • 886 Palabras (4 Páginas) • 67 Visitas
INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL [pic 1][pic 2]
Unidad Profesional Interdisciplinaria de Ingenierías y Tecnologías Avanzadas
Investogación
Transistor de efecto de campo de unión
JFET
Prof. Sergio Garduza González
Alumno: Jaret López Sánchez
Grupo 1MV6
Objetivos:
Identificará el símbolo, modelo y principales circuitos de polarización del Transistor de efecto de campo.
Antecedentes:
Esta actividad es para desarrollarse de forma individual y en formato electrónico. La intención es que identifique los aspectos teóricos más relevantes del transistor de efecto de campo de unión o por sus siglas en inglés JFET. Para desarrollar esta actividad deberás apoyarte de las referencias (Boylestad, 2009, secciones 6.2, 6.3, y 7.3), así como de fuentes electrónicas fiables.
Desarrollo:
- Paso 1
El JFET es un dispositivo de tres terminales con una terminal capaz de controlar la corriente entre las otras dos. Al igual que el transistor MOS, cuenta con una terminal de drenaje (D), otra de fuente (S), y las de compuerta (G).
Este tipo de transistores se clasifican según el tipo de semiconductor que se encuentre en su interior, es decir, de canal p o canal n.[pic 3]
Para ambos casos, en la parte superior está conectada mediante un contacto óhmico a un material conocido como drenaje (D), en tanto que el extremo inferior del mismo material está conectado mediante un contacto óhmico a una terminal conocida como fuente (S).
Por otro lado, alrededor del canal formado entre las terminales D y S, se encuentran dos materiales (contrarios al del canal) conectados entre sí y a la terminal de compuerta (G).
De este modo, podemos observar que en la unión de estos materiales se forma una región de empobrecimiento, por lo que, sin potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n en condiciones sin polarización.
Los sentidos de las corrientes en cada terminal del JFET se encuentran definidas en la siguiente imagen:
[pic 4]
- Paso 2 y 3
- JFET canal n[pic 5]
Con VGS=0V, la región de empobrecimiento no representa ningún obstáculo para el flujo de corriente, por lo que si la fuente VDS aplicara una tensión positiva, la corriente que fluye por D es la misma que fluye por S:
ID=IS[pic 6]
Conforme el voltaje VDS aumente de 0 V a algunos volts, la corriente también lo hará de acuerdo con la ley de Ohm. A medida que VDS se incrementa y se aproxima un nivel conocido como Vp, las regiones de empobrecimiento ensanchan, lo que reduce notablemente el ancho del canal.
De ese modo, a medida que VDS se incrementa, se llegará a un punto en donde ambas regiones de empobrecimiento pareciera que se tocan e impedirían el flujo de corriente. La corriente máxima se define como IDSS y ocurre cuando VGS = 0 V y VDS |Vp|[pic 7]
...