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POLARIZACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR


Enviado por   •  6 de Abril de 2014  •  Prácticas o problemas  •  917 Palabras (4 Páginas)  •  714 Visitas

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UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA

PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRÓNICA

LABORATORIO ELECTRÓNICA I

PRACTICA No. 4

POLARIZACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Andrés Gómez Repizo Cod.20122111936

Julián David Vargas Calderón Cod.20122113751

OBJETIVOS

• Recordar la prueba de transistores con el multímetro.

• Medir los parámetros involucrados con el transistor bipolar trabajando en conmutación tanto en la región de Corte como en la región de Saturación.

• Calcular algunos parámetros de este modo de operación con las mediciones anteriores.

JUSTIFICACION

Informe correspondiente a la Practica 6 de laboratorio de Electrónica Analógica, se realiza para conocer los resultados de la práctica correspondiente al Transistor Bipolar operando en Conmutación y su comportamiento en la región de corte y saturación.

MARCO TEORICO

Transistor en Conmutación: Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch, la corriente de base debe tener un valor para lograr que el transistor entre en corte y otro para que entre en saturación.

Transistor en Corte: Un transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mínima (prácticamente igual a cero) y un voltaje colector emisor VCE) máximo (casi igual al voltaje de alimentación).

Transistor en Saturación: Un transistor en saturación tiene una corriente de colector (Ic) máxima y un voltaje colector emisor (VCE) casi nulo (cero voltios).

Diodo LED: Un LED es un diodo emisor de luz. Un semiconductor que emite luz poli cromática, es decir, con diferentes longitudes de onda, cuando se polariza en directa y es atravesado por la corriente eléctrica.

MATERIALES

• Multímetro digital.

• Protoboard.

• 3 transistores 2N3904.

• 1 piloto axial de 12V.

• 4 LED rojos.

• Resistores de 2.4KΩ a 1/16 de Watio, 51Ω a 1/2 de Watio, 4.02KΩ a 1/16 de Watio, 348Ω a 1/2 de Watio.

• 5 cables caimán-caimán.

• Alambre telefónico.

RESULTADOS TEORICOS

2. Transistor en conmutación controlando el Piloto Axial.

Los Siguientes, son los valores calculados para las resistencias junto con sus potencias. Los cálculos realizados se encuentran en Anexos.

Valores Calculados RB1 PRB1 RC1 PRC1

Transistor Q1 2.4 KΩ 15mW 51Ω 127mW

Para RB1 se utilizara una resistencia a 1/16 de Watio.

Para RC1 se utilizara una resistencia a 1/2 de Watio.

3. Transistor en conmutación controlando Diodos LED

Los Siguientes, son los valores calculados para las resistencias junto con sus potencias. Los cálculos realizados se encuentran en Anexos.

Valores Calculados RB1 PRB1 RC1 PRC1

Transistor Q2 4.02 KΩ 9.045mW 348Ω 313.2mW

Para RB1 se utilizara una resistencia a 1/16 de Watio.

Para RC1 se utilizara una resistencia a 1/2 de Watio.

RESULTADOS PRACTICOS

1. Prueba de Transistores.

Prueba Q1 Q2

Unión B-E Polarizada en Directo 589 mV 585 mV

Unión B-E Polarizada en Inverso F.R F.R

Unión B-C Polarizada en Directo 587 mV 576 mV

Unión B-C Polarizada en Inverso F.R F.R

Β (beta) 367 225

2. Transistor en conmutación controlando el Piloto Axial.

2.1 Transistor Operando en Corte.

Q1 RB1 RC1 RP VB VRC1 VCE VCB VP

Medidos 2.15 KΩ 50.9 Ω 28.8 Ω 0 V 0 V 15 V 15 V 0 V

2.2 Transistor

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