Test de semicoductor.

SOLUCION DE TEST DE SEMICONDUCTORES

1. Si en un semiconductor intrínseco se aumenta mucho la temperatura

a) Se puede romper el equilibrio entre electrones y huecos.

1. En un semiconductor intrínseco

1. La concentración de electrones y huecos depende de la temperatura.

1. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe mejor a un semiconductor tipo n?

1. Cargado negativamente.

1. En un semiconductor extrínseco tipo n

1. No habrá huecos por ser de tipo n.

1. Una estructura semiconductora conduce corriente eléctrica en ambos sentidos

1. Tanto si es de tipo p como si es de tipo n.

1. Una muestra de un semiconductor intrínseco tiene una concentración intrínseca de 1,5X1010 átomos / cm3 a temperatura ambiente. Dicha muestra se dopa con átomos de fósforo. Tras un análisis de la misma se comprueba que la concentración de huecos es de 75 huecos / cm3. ¿Cuál es la concentración de impurezas que se han introducido en la muestra?

b) 3. Átomos / cm3[pic 1]

1. Cuando un electrón libre se recombina con un hueco en la región de la base, el electrón libre se convierte en

1. un electrón de la capa de conducción.

1. Elegir la afirmación correcta acerca de las características de metales, semiconductores y aislantes  

1. Al aumentar la temperatura los metales conducen peor, y por el contrario, los semiconductores conducen mejor. Los aislantes se comportan de manera parecida a los semiconductores, pero su banda prohibida es mucho más ancha.  

1. Un semiconductor de silicio tiene una concentración intrínseca de 1,45x1010 portador/cm3 a temperatura ambiente. Dopamos este semiconductor con átomos de galio (el galio tiene tres electrones en la última capa electrónica...), siendo la concentración de impurezas dopantes de 1016 átomo/cm3. ¿De qué tipo es la impureza de galio?:

1. Tipo p.

1. Para el enunciado de la pregunta 9, la concentración de electrones:

1. ninguna de éstas.

1. Para el enunciado de la pregunta 9, la concentración de huecos:

1. 1016h+/cm3.

1. ¿Cuál tiene mayor conductividad?:

1. Semiconductor de silicio dopado con 1016 átomos/cm3 de boro, a temperaturaambiente:

1. ¿Cuál tiene más ancha su banda prohibida?

1. Un aislante.

1.  El boro tiene 3 electrones de valencia. Si dopamos un semiconductor de silicio con boro, el semiconductor resultante es:

c) Tipo p.

1. Si un semiconductor intrínseco se dopa con impurezas tipo p, el número de electrones libres:

1. Disminuye por debajo del que tenía el semiconductor intrínseco.

1. En un cristal semiconductor

b) La concentración de electrones libres es siempre igual al de huecos

1. Un material semiconductor ha sido dopado con átomos de boro (impureza aceptadora). Si estamos a temperatura ambiente podemos afirmar

b) La concentración de cargas positivas será igual a la de cargas negativas.

1. ¿Cuál tiene mayor resistividad?

1. Semiconductor intrínseco de silicio a temperatura 0 K.

1. En un cristal semiconductor.

1. Si es tipo p hay más cargas positivas que negativas.

1. Una muestra de un semiconductor intrínseco tiene una concentración intrínseca de 2x1010átomos / cm3a temperatura ambiente. Dicha muestra se dopa con átomos de boro. Tras un análisis de la misma se comprueba que la concentración de electrones es de 50 electrones/cm3. ¿Cuál es la concentración de impurezas que se han introducido en la muestra?

1. 8·1018 átomos / cm

1.  Un semiconductor tipo p contiene huecos y/e

1. Iones positivos.

1.  Si en un semiconductor intrínseco se aumenta mucho la temperatura.

c) Puede llegar a comportarse como un buen conductor.

1. A la temperatura de cero absoluto un semiconductor intrínseco tiene.

c) Ni huecos ni electrones libres.

1. Se aplica una tensión de una fuente externa a un semiconductor tipo p. Si en el extremo izquierdo del cristal se aplica el terminal positivo de la tensión, ¿en qué sentido circulan los portadores mayoritarios?

1. Hacia la derecha.

1. Si desearas producir un semiconductor tipo p, ¿cuál de los siguientes emplearías?

1. Átomos aceptadores.

1. En un semiconductor extrínseco tipo n.

1. No habrá huecos por ser de tipo n.

1. A temperatura ambiente, en una zona semiconductora extrínseca, ¿cuántas impurezas están ionizadas?

c) Casi todas.

1.  En la conducción por huecos se produce

1. El desplazamiento de electrones de valencia hacia tensiones positivas.

1.  Si quiero obtener un semiconductor de silicio tipo n, las impurezas dopantes serán:

c) Fosforo.

1. Elige la afirmación correcta. Al aumentar la temperatura:

c) Los semiconductores conducen mejor porque hay más portadores, aunque disminuya su movilidad.

1. Se aplica una tensión de una fuente externa a un semiconductor tipo p fuertemente dopado. Si el terminal positivo de la tensión se aplica en el extremo izquierdo del cristal y el negativo en el derecho:

1. Aparece un campo eléctrico que tiende a mover a los electrones hacia la izquierda.

1. En un material semiconductor.

1. La anchura de la banda prohibida no depende del tipo de impurezas.

1. En un cristal semiconductor :

1. La carga eléctrica total es cero.

1. En un semiconductor extrínseco tipo n, a una temperatura insuficiente para obtener la energía EG

c) Únicamente tenemos portadores mayoritarios.

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