LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS . Transistor de Unión Bipolar (BJT)

1. Objetivos :

• Determinar e identificar el tipo, terminales y materiales del transistor BJT, usando el multímetro digital (DMM)
• Graficar las características del transistor con métodos experimentales.
• Determinar el valor de  α  y de  β  de un transistor BJT

2. Temas a tratarse :

• Capítulo 3 R. Boylestad “Electrónica:Teoría de Circuitos” (Funcionamiento,Construcción, Operación y Curvas Características del Transistor BJT)
• Identificación de los terminales de un transistor bipolar utilizando multímetro: revisar la los siguientes links:

 http://www.neoteo.com/midiendo-diodos-y-transistores-15335.neo

 http://perso.wanadoo.es/jalons3/curso/identra.htm

http://www.youtube.com/watch?v=NLL8iB3rIZc

http://www.youtube.com/watch?v=Aj8NwiP-03Y

• Resolver el cuestionario final

3. Equipo y Materiales:

Fuente DC:   DMM:     Protoboard:        

Resistores 1/4W: 1K, 330K ohm        y         Potenciómetros: 5K y 1M ohm

Transistores: (2) 2N3904 o equivalente (2) BC548 o 2N2222

4. Actividades:

Parte 1. Identificación del transistor

1. Identifique los terminales del transistor BJT (2N3904)

[pic 1]

Figura. 1 Terminales del Transistor BJT

1. Seleccione la escala de prueba de Diodos en el DMM

1. Conectar los terminales del DMM con el transistor de acuerdo a la tabla 1. Registrar la lectura del DMM.

Tabla 1.

Terminal Rojo (+)                Terminal Negro (-)                       Lectura del DMM

1                        2                                      0V

2                        1                                          682mV

1                        3                                           0V

3                        1                                      0V

2                        3                                               691mV

3                        2                                               0V

1. Identificar las características del Transistor en la siguiente tabla

Tabla 2.

Terminal BASE                Pin 2

Terminal COLECTOR         Pin 1

Terminal EMISOR                 Pin 3

Tipo del Transistor         NPN

Material del Transistor         Si

1. Utilice un DMM con medición de transistores y compruebe las mediciones.

[pic 2]

1. Obtenga la ganancia del transistor

214mV

Parte 2. Características del Colector  (Lleve a cabo el procedimiento usando un programa de simulación)

1. Construya el circuito de la figura 2.

[pic 3]

1. Fijar el voltaje VRB a 3.3V variando el potenciómetro de 1M. Esto fijará IB = VRB/RB a 10μA como se indica en la Tabla 3.
2. Luego fijar VCE a 2V variando el potenciómetro de 5K como se indica en la primera línea de la Tabla 3.
3. Registre el voltaje VRC  y VBE en la Tabla 3.
4. Variar el potenciómetro de 5K para incrementar VCE de 2 V hasta los valores que aparecen en la Tabla 3. Notar que IB es mantenida a 10μA en los diferentes niveles de VCE.
5. Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala de mV para VBE.
6. Repita los pasos B hasta F para todos los valores indicados en la Tabla 3. Cada valor de VRB establecerá un nivel diferente de IB para la secuencia de valores de VCE.
7. Después de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de IC = VRC / RC y el valor de IE = IC + IB. Use los valores medidos de RC.
8. Usando los datos de la Tabla 3, dibuje la curva característica del transistor creando la figura 3 La curva es IC vs. VCE para los diferentes valores de IB Seleccionar una escala adecuada para IC e indique cada valor de IB.

Tabla 3

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