Memoria Flahs

Parámetros de las memorias

El parámetro básico de una memoria es su capacidad, la cual

corresponde al total de unidades que puede almacenar.

En la actualidad se consiguen memorias en tamaños del orden de

megabytes.

Memorias de Solo Lectura

Las memorias de solo lectura son conocidas como memorias ROM (del

inglés Read Only Memory). Se caracterizan por ser memorias de lectura y

contienen celdas de memoria no volátiles, es decir que la información

almacenada se conserva sin necesidad de energía. Este tipo de memoria

se emplea para almacenar información de forma permanente o información

que no cambie con mucha frecuencia.

Memoria ROM de M

Microprocesadores

Este tipo de ROM se caracteriza porque la información contenida en su interior

se almacena durante su fabricación y no se puede alterar.

El proceso de fabricación es muy caro, pero se hacen económicas con la

producción de grandes cantidades.

La programación se realiza mediante el diseño de un negativo fotográfico

llamado máscara donde se especifican las conexiones internas de la memoria.

Son ideales para almacenar microprogramas, sistemas operativos, tablas de

conversión y caracteres.

}Memoria PROM

ROM programable del inglés Programmable Read Only Memory.

Este tipo de memoria a diferencia de la ROM no se programa durante el proceso de

fabricación, sino que la efectúa el usuario y se puede realizar una sola vez, después de la

cual no se puede borrar o volver a almacenar otra información.

Para almacenar la información se emplean dos técnicas: por destrucción de fusible o por

destrucción de unión. Comúnmente la información se programa o quema en las diferentes

celdas de memoria aplicando la dirección en el bus de direcciones, los datos en los buffers

de entrada de datos y un pulso de 10 a 30V, en una terminal dedicada para fundir los

fusibles correspondientes. Cuando se aplica este pulso a un fusible de la celda, se

almacena un 0 lógico, de lo contrario se almacena un 1 lógico (estado por defecto),

quedando de esta forma la información almacenada de forma permanente.

Memoria EPROM

Memoria EPROM

Del inglés Erasable Read Only Memory.

Este tipo de memoria es similar a la PROM con la diferencia que la

información se puede borrar y volver a grabar varias veces. La

programación se efectúa aplicando a un pin especial de la memoria una

tensión entre 10 y 25 Voltios durante aproximadamente 50 ms, según el

dispositivo, al mismo tiempo se direcciona la posición de memoria y se pone

la información a las entradas de datos. Este proceso puede tardar varios

minutos dependiendo de la capacidad de memoria.

La memoria EPROM se compone de un arreglo de transistores MOSFET de

Canal N de compuerta aislada.

Borrado de las memorias EPROM

La memoria puede ser borrada exponiendo el chip a una luz ultravioleta a través de su ventana de

cuarzo transparente por aproximadamente de 10 a 20 minutos, esta ventana le permite a los rayos

ultravioleta llegar hasta el material fotoconductivo presente en las compuertas aisladas y de esta

forma lograr que la carga se disipe a través de este material apagando el transistor, y hacer que

todas las celdas de memoria quedan en 1 lógico.

Una

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