Monografia
nata2j1 de Junio de 2014
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Aplicación
Primero que todo hay que decir que la aplicación de la fotomodulación, se presenta en la técnicas de fotorreflectacia y fototransmitancia, que son métodos importantes para la investigación de la estructura de los semiconductores. Además la modulación de la espectroscopia es una técnica experimental para la caracterización de semiconductores y reducción de la dimensionalidad de las estructuras de los semiconductores, incluyendo estructuras de dispositivos modernos. Dichos semiconductores son usados a bajas dimensiones para ser utilizados como parte activa de dispositivos infrarrojos optoelectrónico, es decir ciertos propósitos de los semiconductores son ópticos y electrónicos, esto resulta del hecho de que el crecimiento de estos materiales pueden manipularse para producir nuevas combinaciones de estos, con dimensiones extremadamente pequeñas. Para esto se tiene un nuevo material GaInAsN con dos pozos cuánticos, generando un laser a través de InGaSb/GaSb de pozos cuánticos, en donde se pretende una aplicación de los sensores de gas por infrarrojo a 980nm InGaAs/GaAs de puntos cuánticos siendo una fuente laser de bombeo para los amplificadores EDFA.
Cabe agregar que, los pozos cuánticos y puntos cuánticos empleados en esta aplicación sirven como una región activa de los dispositivos como el laser o el detector, siendo estos métodos muy útiles en el infrarrojo. Además la heteroestructura con pozos cuánticos de semiconductores son importantes por sus propiedades físicas y sus posibles aplicaciones en especial en dispositivos optoelectrónicos que operan en el espectro visible entre los colores azul – verde. Para la formación de estos dispositivos se utilizan diferentes sustratos monocristalinos con diferentes orientaciones, para este caso está el GaAs. Sobre el sustrato GaAs, se crece una capa soporte empleando los semiconductores, la función de dicha capa es amortiguar el desacople entre el sustrato y las multicapas. Por lo que el espesor de la capa buffer debe superar el espesor crítico y estar completamente relajada para disminuir los esfuerzos residuales.
Para una mejor comprensión de lo anterior, a continuación se presenta la técnica de fotorreflectancia.
La fotorreflectancia es una técnica modulada que, así como la fotoluminiscencia, es muy poderosa para determinar la microestructura de los semiconductores. La fotorreflectancia en particular, es la técnica más importante para obtener información precisa acerca de las energías de los puntos críticos y los campos eléctricos internos de semiconductores de brecha directa. Estas cantidades son claves para determinar otros parámetros del material tales como la brecha de energía, niveles de dopamiento, densidad de estados superficiales y la dirección de la curvatura de la banda, los cuales son importantes para el desempeño de cualquier dispositivo electrónico que se fabrique con el material.
La fuente de luz de bombeo modula el campo eléctrico superficial de la muestra a través de la creación de pares electrón hueco fotoexcitados. Esta espectroscopía de modulación da características espectrales precisas que revelan la estructura electrónica del semiconductor dentro del rango de energía de la luz de prueba. Características finas que podrían no ser detectadas en la reflectividad absoluta se resaltan en esta técnica, así como los valores de energías y de parámetros de ensanchamiento de transiciones interbandas. La fotorreflectancia es extremadamente útil porque es una técnica sin contactos eléctricos y no requiere montajes ni tratamientos especiales de la muestra. Ella puede ser realizada a bajas o a altas temperaturas.
La fotorreflectancia es una técnica que también permite obtener información sobre el campo eléctrico asociado a la superficie o a la interfaz de un semiconductor, y con ella determinar la densidad
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