Los transistores BJT. Construcción y características de los JFET

Introducción

• A diferencia de los transistores BJT, que son controlados

por la corriente de base, los transistores son controlados

por voltaje.

• El FET es un dispositivo unipolar que depende

únicamente de electrones (canal-n) o huecos (canal-p)

Introducción (II)

• En el FET el campo eléctrico se establecen mediante las cargas

presentes que controlarán la trayectoria de conducción del circuito

de salida, sin necesidad de un contacto directo entre las cantidades

controladoras y controladas.

• Poseen alta impedancia de entrada.

• Son más estables a temperatura y más pequeños que le BJT.

• Tipos más conocidos de FET (Field Effect Transistor)

– JFET : Junction Field Effect Transistor

– MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Construcción y Características de

los JFET

• Es básicamente un dispositivo de tres terminales: drain, gait y

source

Funcionamiento

• VGS = 0v, VDS algún valor positivo.

Funcionamiento (II)

• VGS = 0v, VDS algún valor positivo (cont.)

Voltaje de estrechamiento (Vp) – Pinch off.

• Para VDS > Vp el JFET se comporta como una fuente de corriente

• IDSS es la corriente máxima de drenaje para un JFET y está

definida mediante las condiciones VGS = 0v y VDS > |Vp|

Funcionamiento (III)

• VGS < 0v

Genera el mismo efecto que

el caso anterior pero con un

VDS menor.

Cuando VGS = - Vp, éste

será lo suficientemente

pequeño como para

establecer un nivel de

saturación que será en

esencia 0mA.

Funcionamiento (IV)

• VGS < 0v (cont.)

El nivel de VGS que da

por resultado ID = 0mA

se encuentra definido

por VGS = Vp, siendo

Vp un voltaje negativo

para los dispositivos

de canal-n y un voltaje

positivo para los JFET

de canal-p

Características Importantes

• Resistor Controlado por Voltaje

• Dispositivos de canal-p

Características Importantes (II)

• Símbolos

• Resumen

Transferencia

• Derivación

Para el transistor BJT el parámetro de salida (Ic) y el

parámetro de entrada (IB) están relacionados de la

forma:

En el caso del transistor JFET la relación entrada salida

no es lineal y es de la forma:

Transferencia (II)

• Las características de transferencia por la ecuación de Shockley no

resultan afectadas por la red en la cual se utiliza el dispositivo.

Ecuación de Shockley

Ecuación de Shockley (II)

• Método Manual

Polarización del JFET

Consideraciones básicas

Corrientes en el JFET

Ecuación de Shockley

Polarización Fija

Polarización Fija (II)

Realizamos la gráfica dada por la ecuación de Shockley y por la red

externa

Polarización Fija (III)

• Tenemos para la red de salida

Configuración de Autopolarización

Configuración de Autopolarización

(II)

• Como en el caso anterior es necesario usar la curva extraída de la

ecuación de Shockley y la dada por la red externa.

• Para hallar el punto Q es necesario igualar las dos ecuaciones.

Configuración de Autopolarización

(III)

...