CONSTRUCCION DE LOS JFET

El transistor que voy a explicar es el JFET, este es un dispositivo controlado por voltaje, tiene 3 terminales con una de estas es capaz de controlar la corriente de las otras dos

el jfet tiene una gran impedancia de entrada con un nivel de 1 y hasta varios cientos de megaohms mas que un BJT.

En los jfets existen 2 tipos de transistores:

A continuación hare una analogía entre una llave de agua y un Jfet

La fuente de la presión de agua puede ser vinculada al voltaje aplicado del drenaje a la fuente, el cual establece un flujo de agua (electrones) desde el grifo (fuente). La “compuerta” gracias a una señal potencial aplicada, controla el flujo de agua (carga) dirigido hacia el “drenaje”. Las terminales del drenaje y la fuente se encuentran en los extremos opuestos del canal,[ como se presenta en la imagen.]

CONSTRUCCION DE LOS JFET

En esta imagen muestro un transistor JFET canal “n”.

La zona tipo “n” es la de amarillo, la tipo “p” es la azul como podemos ver y ahí se forma una unión p-n generando una región de agotamiento de portadores entre cada unión [La región de agotamiento es aquella que no presenta portadores libres y es incapaz de soportar la conducción a través de ella].

En los extremos del cilindro se realizan conexiones, una conexión de (s) FUENTE y en el otro extremo (d) DRENAJE y entre estos dos extremos conecto una fuente VDS para poder tener una corriente en todo el cilindro a través de este canal que se esta formando entre estas dos regiones verdes.

Ahora, entre compuerta y fuente se conecta además una fuente que es una fuente de control, esta va a crear control de la fuente de corriente controlada por voltaje que se le conoce como VGS.

La manera de controlar este canal es por la abertura que puede llegar a tener y así podremos controlar la corriente que fluye por el canal, esto será polarizando en inversa la unión p-n y eso se hace mediante la fuente VGS aplicándole un voltaje negativo.

Vamos a bajar el voltaje a -3 y se puede notar como las regiones de agotamiento se expandieron haciendo así el canal mas angosto y esto hace que la corriente que pasa por ahí disminuya.

El canal puede llegar a cerrarse completamente a esto se le llama “ahorcamiento”.

Esto sucede a un cierto nivel de voltaje que es un parámetro del transistor especificado por el fabricante, este nivel de voltaje se le conoce como VP.

En este caso el VP es de -6 V, es decir, en este momento si el voltaje entre compuerta y fuente es de -6 V o mas negativo, el canal esta totalmente ahorcado y no puede haber flujo de corriente.

Ahora con la fuente VGS en 0 volts y la fuente VDS la ponemos en 3 V para que haya una corriente de 9.38 mA como podemos ver. Se puede observar como las regiones de agotamiento se alteraron un poco, esto debido a la variación del voltaje VDS.

Ahora si el VGS se aplica voltaje negativo el canal empezara a cerrarse haciendo así que la corriente que pasa empiece a disminuir, así hasta llegar al VP y ya no pase corriente.

Ahora si no ahorcamos el canal completamente, es decir, dejamos el VGS en -3 V y VDS queda en 3 V podemos ver como la corriente queda en 0.63 mA,

ahora empezamos a variar el voltaje VDS y podemos ver como la corriente no varia, esto es porque la corriente esta siendo controlada por el voltaje VGS.

Este transistor JFET también se comporta como fuente de corriente, fuente de corriente controlada por voltaje VGS.

Ese es el principio de funcionamiento del transistor JFET. (transistor de efecto de campo de unión).

Bueno, ahora el transistor de canal P se construye exactamente de la misma manera que el dispositivo de canal n que vimos anteriormente pero con los materiales p y n invertidos, como se muestra en la figura.

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