ClubEnsayos.com - Ensayos de Calidad, Tareas y Monografias
Buscar

CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN (UJT)

Javier CovarrubiasPráctica o problema6 de Abril de 2016

2.010 Palabras (9 Páginas)1.336 Visitas

Página 1 de 9

[pic 1][pic 2]INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA

UNIDAD ZACATENCO

LABORATORIO DE ELECTRONICA

PRACTICA 5

(CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN (UJT))

Materia: Laboratorio de electrónica II

Profesora: Saraín Montero Corzo

Equipo:

  • Hernández Rivas Raúl Omar        2014302245
  • Obed Issac García Herrera                2014302193
  • Adolfo Solórzano Valverde                2014302727

Grupo: 5EV2

Mesa de trabajo: 5

Equipo: 3

Fecha de realización: martes 29 de marzo de 2016

Fecha de entrega: martes 05 de marzo de 2016

Objetivo

  • Determinar los parámetros eléctricos del transistor monounión (UJT) y comprobar la forma de operación del mismo.
  • Determinar la resistencia de interbases (RBB).
  • Determinar la resistencia de base 1 (RB1) en estado de conducción.
  • Determinar la razón intrínseca de bloqueo (η).
  • Observar y graficar las curvas características de tensión-corriente para varias tensiones de interbase.

Procedimiento

Aparatos y material utilizados

  • 1 Fuente variable de tensión de CD
  • 1 Osciloscopio Tektronix 210
  • 1 Generador de funciones
  • 1 Multímetro digital
  • 3 Puntas para osciloscopio no atenuadas
  • Cable para conexiones
  • 1 protoboard
  • 3 Fusibles tipo americano 0.5 A-250V
  • 1 Fusible tipo europeo  de 0.2A -250V
  • 1 porta fusible tipo automotriz (Para fusible tipo americano)
  • 2 transistores 2N2646
  • 1 resistencia de 1000 Ω  a 0.5W
  • 4 cables con conectores banana- caimán
  • 1 Potenciómetro de 20 K Ω a 0.5W

Sesión experimental

  1. Al inicio de la práctica se deberá de hacer la comprobación del buen estado del UJT con el probador de diodos del multímetro y se deberán efectuar las pruebas tal como se muestra en la tabla 1 tomando en cuenta el símbolo del UJT 2N2646 en la figura 1.

Tabla 1 Pruebas de para conocer determinar el buen funcionamiento del UJT

Punta positiva

Punta negativa

Lectura

Emisor

Base 1

Continuidad (Si 0.935V)

Emisor

Base 2

Continuidad (Si 0.868 V)

Base 1

Emisor

Abierto (Si)

Base 2

Emisor

Abierto (Si)

Prueba como óhmetro

Base 2

Base 1

KΩ 4.34

[pic 3]

Figura 1 Símbolo y figura del UJT

  1. Determinación de la resistencia de interbases RBB

Se deberá de realizar la conexión que se muestra en la figura 2. Con un VBB de 10 V. Se deberá de medir la diferencia de potencial y se deberá de calcular la resistencia interbases (RBB). Se deberá de repetir el mismo procedimiento para una tensión de 20 V

[pic 4]

Figura 2 Circuito para determinar resistencia interbases en conducción

Determinación de RBB con tensión VBB=10 V

[pic 5]

[pic 6]

[pic 7]

[pic 8]

[pic 9]

[pic 10]

Determinación de RBB con tensión VBB=20 V

[pic 11]

[pic 12]

[pic 13]

[pic 14]

[pic 15]

[pic 16]

  1. Determinación de la resistencia de base 1 en conducción (R´B1).
  1. Se deberá de conectar una fuente variable de CD entre el emisor y base 1 en serie con un ampermetro en el rango de mA  tal y como se muestra en la figura 3.
  2. Se ajustara el potenciómetro de 20 KΩ a solo 5 KΩ
  3. Ajustar la tensión de la fuente de CD hasta que el ampermetro muestre una medición de 5mA
  4. Se realizara la medición de la tensión en VEB1 y se le restara la caída de tensión por la unión PN que corresponde a 0.5 V
  5. Calcule con la ley de Ohm, RB1 teniendo en cuenta que su valor de conducción (R´B1)

[pic 17]

Figura 3 Circuito utilizado para determinar Resistencia  e-b1 en conducción

Calculo de R de emisor a base 1

[pic 18]

[pic 19]

[pic 20]

[pic 21]

[pic 22]

  1. Determinación intrínseca de bloqueo (η)
  1. Se realizara la conexión del UJT tal y como se muestra en la figura 4 con una tensión que lo alimente VBB de 10V
  2. Se deberá de conectar la terminal positiva del osciloscopio en el emisor (E) y la terminal negativa en el neutro
  3. Se tendrá que incrementar el VEE hasta alcanzar la tensión máxima aplicada que refleje el Vp en el primer intento, así intentarlo varias veces hasta determinar cuál es el valor en el que el UJT entra en conducción
  4. Con el valor máximo alcanzado se deberá de calcular la razón intrínseca de bloqueo (η)
  5. Repetir los mismos pasos con 20V

[pic 23]

Figura  4 Circuito para determinar la razón intrínseca de bloqueo

Tabla 2 Valores medidos

Variables

Mediciones 10V

Mediciones 20V

Vp

7.6

14.2

Vb1b2

8.27

16.8

VD

0.7

0.7

η

0.82

0.80

Calculo de η:

[pic 24]

 [pic 25][pic 26]

 [pic 27][pic 28]

  1. Obtención de la curva característica del UJT con respecto a los parámetros de corriente de emisor y voltaje de emisor a base 1
  1. Se conectara la salida del generador de funciones al canal 1 del osciloscopio
  2. En el generador de funciones se ajustara la forma de onda de manera triangular
  3. La frecuencia también se ajustara a 12kHz.
  4. Se deberá de ajustar con las perillas DC OFFSET y OUTPUT LEVEL la tensión del generador de manera que su valor sea de 10Vp y asegurarse que el valor mínimo no sea inferior a 0 pero si lo más cercano.
  5. Realizar el circuito de la figura 5, con los componentes involucrados en la forma de onda

[pic 29]

Figura  5 Circuito para determinar la curva característica del UJT

  1. Se deberá de ajustar VBB a un valor de 10V
  2. Se deberán de conectar las fuentes de alimentación como se indica en la figura 5. Así mismo se deberá conectar el canal 2 del osciloscopio entre emisor y Base 1 de modo que corresponde a VEB1. El canal 1 del osciloscopio se conecta a través de la resistencia de 1 KΩ. La única manera de que fluya corriente por la resistencia es que provenga del emisor y se deberá de ajustar el osciloscopio a la forma X-Y y ver la curva característica del UJT
  3. Los valores tomados serán mostrados en la tabla 3 y repetir el procedimiento con una tensión de 20V

Tabla 3 Valores obtenidos en la curva característica

Vp

7.6 V

Vv

1.5 V

I

2.5 mA

Simulación virtual

  1. Simulación de circuito 2, a 10 V en figura 6 y 7

[pic 30]

Figura  6 Circuito de la figura 2 simulado en OrCAD a 10V

[pic 31]

Figura  7 Tensión en el tiempo de la resistencia R

Con esta simulación obtenemos una tensión de  1.2601 V en la resistencia de 1 KΩ

Con fuente de 20 V

[pic 32]

Figura  8 Simulación del circuito de la figura 2 a 20 V

[pic 33]

Figura  9 Tensión en la resistencia R

...

Descargar como (para miembros actualizados) txt (12 Kb) pdf (2 Mb) docx (2 Mb)
Leer 8 páginas más »
Disponible sólo en Clubensayos.com