CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN (UJT)
Javier CovarrubiasPráctica o problema6 de Abril de 2016
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[pic 1][pic 2]INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL
ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA
UNIDAD ZACATENCO
LABORATORIO DE ELECTRONICA
PRACTICA 5
(CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN (UJT))
Materia: Laboratorio de electrónica II
Profesora: Saraín Montero Corzo
Equipo:
- Hernández Rivas Raúl Omar 2014302245
- Obed Issac García Herrera 2014302193
- Adolfo Solórzano Valverde 2014302727
Grupo: 5EV2
Mesa de trabajo: 5
Equipo: 3
Fecha de realización: martes 29 de marzo de 2016
Fecha de entrega: martes 05 de marzo de 2016
Objetivo
- Determinar los parámetros eléctricos del transistor monounión (UJT) y comprobar la forma de operación del mismo.
- Determinar la resistencia de interbases (RBB).
- Determinar la resistencia de base 1 (RB1) en estado de conducción.
- Determinar la razón intrínseca de bloqueo (η).
- Observar y graficar las curvas características de tensión-corriente para varias tensiones de interbase.
Procedimiento
Aparatos y material utilizados
- 1 Fuente variable de tensión de CD
- 1 Osciloscopio Tektronix 210
- 1 Generador de funciones
- 1 Multímetro digital
- 3 Puntas para osciloscopio no atenuadas
- Cable para conexiones
- 1 protoboard
- 3 Fusibles tipo americano 0.5 A-250V
- 1 Fusible tipo europeo de 0.2A -250V
- 1 porta fusible tipo automotriz (Para fusible tipo americano)
- 2 transistores 2N2646
- 1 resistencia de 1000 Ω a 0.5W
- 4 cables con conectores banana- caimán
- 1 Potenciómetro de 20 K Ω a 0.5W
Sesión experimental
- Al inicio de la práctica se deberá de hacer la comprobación del buen estado del UJT con el probador de diodos del multímetro y se deberán efectuar las pruebas tal como se muestra en la tabla 1 tomando en cuenta el símbolo del UJT 2N2646 en la figura 1.
Tabla 1 Pruebas de para conocer determinar el buen funcionamiento del UJT
Punta positiva | Punta negativa | Lectura |
Emisor | Base 1 | Continuidad (Si 0.935V) |
Emisor | Base 2 | Continuidad (Si 0.868 V) |
Base 1 | Emisor | Abierto (Si) |
Base 2 | Emisor | Abierto (Si) |
Prueba como óhmetro | ||
Base 2 | Base 1 | KΩ 4.34 |
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Figura 1 Símbolo y figura del UJT
- Determinación de la resistencia de interbases RBB
Se deberá de realizar la conexión que se muestra en la figura 2. Con un VBB de 10 V. Se deberá de medir la diferencia de potencial y se deberá de calcular la resistencia interbases (RBB). Se deberá de repetir el mismo procedimiento para una tensión de 20 V
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Figura 2 Circuito para determinar resistencia interbases en conducción
Determinación de RBB con tensión VBB=10 V
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Determinación de RBB con tensión VBB=20 V
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- Determinación de la resistencia de base 1 en conducción (R´B1).
- Se deberá de conectar una fuente variable de CD entre el emisor y base 1 en serie con un ampermetro en el rango de mA tal y como se muestra en la figura 3.
- Se ajustara el potenciómetro de 20 KΩ a solo 5 KΩ
- Ajustar la tensión de la fuente de CD hasta que el ampermetro muestre una medición de 5mA
- Se realizara la medición de la tensión en VEB1 y se le restara la caída de tensión por la unión PN que corresponde a 0.5 V
- Calcule con la ley de Ohm, RB1 teniendo en cuenta que su valor de conducción (R´B1)
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Figura 3 Circuito utilizado para determinar Resistencia e-b1 en conducción
Calculo de R de emisor a base 1
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- Determinación intrínseca de bloqueo (η)
- Se realizara la conexión del UJT tal y como se muestra en la figura 4 con una tensión que lo alimente VBB de 10V
- Se deberá de conectar la terminal positiva del osciloscopio en el emisor (E) y la terminal negativa en el neutro
- Se tendrá que incrementar el VEE hasta alcanzar la tensión máxima aplicada que refleje el Vp en el primer intento, así intentarlo varias veces hasta determinar cuál es el valor en el que el UJT entra en conducción
- Con el valor máximo alcanzado se deberá de calcular la razón intrínseca de bloqueo (η)
- Repetir los mismos pasos con 20V
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Figura 4 Circuito para determinar la razón intrínseca de bloqueo
Tabla 2 Valores medidos
Variables | Mediciones 10V | Mediciones 20V |
Vp | 7.6 | 14.2 |
Vb1b2 | 8.27 | 16.8 |
VD | 0.7 | 0.7 |
η | 0.82 | 0.80 |
Calculo de η:
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[pic 27][pic 28]
- Obtención de la curva característica del UJT con respecto a los parámetros de corriente de emisor y voltaje de emisor a base 1
- Se conectara la salida del generador de funciones al canal 1 del osciloscopio
- En el generador de funciones se ajustara la forma de onda de manera triangular
- La frecuencia también se ajustara a 12kHz.
- Se deberá de ajustar con las perillas DC OFFSET y OUTPUT LEVEL la tensión del generador de manera que su valor sea de 10Vp y asegurarse que el valor mínimo no sea inferior a 0 pero si lo más cercano.
- Realizar el circuito de la figura 5, con los componentes involucrados en la forma de onda
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Figura 5 Circuito para determinar la curva característica del UJT
- Se deberá de ajustar VBB a un valor de 10V
- Se deberán de conectar las fuentes de alimentación como se indica en la figura 5. Así mismo se deberá conectar el canal 2 del osciloscopio entre emisor y Base 1 de modo que corresponde a VEB1. El canal 1 del osciloscopio se conecta a través de la resistencia de 1 KΩ. La única manera de que fluya corriente por la resistencia es que provenga del emisor y se deberá de ajustar el osciloscopio a la forma X-Y y ver la curva característica del UJT
- Los valores tomados serán mostrados en la tabla 3 y repetir el procedimiento con una tensión de 20V
Tabla 3 Valores obtenidos en la curva característica
Vp | 7.6 V |
Vv | 1.5 V |
I | 2.5 mA |
Simulación virtual
- Simulación de circuito 2, a 10 V en figura 6 y 7
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Figura 6 Circuito de la figura 2 simulado en OrCAD a 10V
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Figura 7 Tensión en el tiempo de la resistencia R
Con esta simulación obtenemos una tensión de 1.2601 V en la resistencia de 1 KΩ
Con fuente de 20 V
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Figura 8 Simulación del circuito de la figura 2 a 20 V
[pic 33]
Figura 9 Tensión en la resistencia R
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