Obtener, compara y construir diferentes circuitos mediante MOSFET para estudiar este dispositivo mediante su funcionamiento.

INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL.[pic 1][pic 2]

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELECTRICA

UNIDAD ZACATENCO.

INGENIERÍA EN COMUNICACIONES Y ELECTRÓNICA.

DISPOSITIVOS

PROFESOR: SERGIO ACENZUA BRAVO.

PRACTICA 9

ALUMNOS:

ORTIZ HERNANDEZ ALMA

ESCALONA DIAZ DANIEL

RAMOS AGUILAR JUAN ALEJANDRO

NERI DAVILA DIDIER ANIBAL

GRUPO: 5CM1

Objetivo:

Obtener, compara y construir diferentes circuitos mediante MOSFET para estudiar este dispositivo mediante su funcionamiento.

Material empleado

• Resistencias varios valores y diferentes potencias.
• Resistencia variable 10k[pic 3]
• Fuente variable de corriente directa
• Fuente de corriente alterna de 60HZ [pic 4]
• Transformador 10:1
• Transistor TIP 41
• Transistor LM 7805
• Capacitor electrolítico 1000µf
• Tablilla de prueba.
• Puntas para osciloscopio.

5 Circuito regulador de voltaje con transistor bipolar.

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Diagrama a bloques de una fuente reguladora de voltaje.

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Ilustración 5.5.1 Diagrama a bloques de una fuente reguladora de voltaje.)

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Ilustración  (5.5.2 Grafica A)

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Ilustración  (Grafica B)

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Ilustración 5.5.4 (Grafica C)

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Ilustración 5.5.5 (Grafica D)

1. De los tres diodos Zenerque utilizo en los experimentos ¿Cuál de ellos presento coeficiente de temperatura mayor, cual menor cual se aproximó a cero?

El diodoZener de voltaje 3.1 fue el diodo que no tuvo perdida ni mucha ganancia, por lo tanto es el diodo equivalente a cero, mientras que el diodo 5.1v tuvo una perdida y el de 9.1 tuvo una ganancia teniendo  así los resultados mostrados en la primera tabla de este reporte.

1. ¿Cuál de los tres diodos utilizados, presenta ruptura Zener y cual avalancha (tuneleo de barrera de potencial) explique porque?

Los primeros dos diodos de 3.1v y 5.1v tienen una ruptura Zener, mientras que el diodo de 9.1 tiene una ruptura por avalancha, ya que:

La tensión necesaria para producir este fenómeno es generalmente menos a los 6v, en este caso decimos que el diodo romper por efecto Zener. Los portadores libres existentes en la zona de juntura no alcanzan a adquirir suficiente energía para producir nuevos portadores portadores por colisión

El efecto avalancha ocurre en diodos donde un lado de la junta está fuertemente dopado respecto del otro. La tensión de ruptura, en estos casos, es inversamente proporcional a la concentración de impurezas del lado menos dopado. Dentro de la zona de carga espacial siempre existen portadores libres a la generación térmica. Debemos tener presente que eta presente el proceso de ruptura de la junta predominando el efecto Zener para tensiones menores de 6v, y el efecto avalancha para tensiones mayores de 8v.

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