TRACOL FISI SEMI

INTRODUCCIÓN

La presente actividad realiza una evaluación de los conocimientos aprendidos sobre a las unidades 1 y 2 del Curso Física de Semiconductores; para ello de manera individual se hace una entrega investigativa sobre el tema de investigación acogido por el grupo “Física y matemática del Modo Saturación en Transistores MOSFET ” en cual se describe, los temas principales en la fabricación de estos semiconductores, características y ventajas de los elementos que participan en elaboración, así como sus comportamientos a los cambios controlados y abruptos de tensión; corriente y temperatura, así como su comportamiento en resistencia a los cambios de energía lumínica, para enfocar en sus valores reales e ideales de polarización directa y sus aplicaciones.

Regiones de operación del NMOS FET

Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura física muy diferente pero sus ecuaciones analíticas son muy similares. Por ello, en los transistores MOS se definen las mismas regiones de operación: corte, lineal, saturación y ruptura. La figura se muestra las curvas de características eléctricas de un transistor NMOS con las diferentes regiones de operación que son descritas brevemente a continuación

Región de corte

Se verifica que VGS<VT y la corriente ID es nula.

Región lineal

El transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal controlado por tensión. Verifica las siguientes ecuaciones:

Siendo

Un parámetro característico del MOS que depende de la tecnología a través de la constante k y del tamaño de la puerta del transistor (W la anchura y L la longitud).

Región de saturación y ruptura de transistor NMOS FET

Región de saturación de un MOSFET de canal N (NMOS)

El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión VGS. Verifica las siguientes ecuaciones

Siendo ß el parámetro descrito en la ecuación

En esta región, la relación cuadrática entre VGS e ID se representa en la gráfica de la izquierda de la figura y de una manera similar a los transistores JFET, puede ser utilizada para determinar por métodos gráficos el punto de polarización de los transistores aunque rara vez se recurre a ellos.

Región de ruptura

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