Laboratorio De Control

Resumen- Esta práctica se realiza con el fin de analizar y describir el comportamiento de un oscilador Gunn, y como a partir de este es posible simular la característica de voltaje – corriente de un diodo Gunn, y de esta manera se identifican con mayor facilidad los parámetros fundamentales que caracterizan al diodo Gunn, y finalmente se realiza una comparación entre la gráfica obtenida experimentalmente y la gráfica ideal del diodo Gunn para comprobar la veracidad y exactitud del montaje y las mediciones realizadas.

Abstract– This practice is done in order to analyze and describe the behavior of a Gunn oscillator, and as from this characteristic it is possible to simulate the voltage - current of a Gunn diode, and thus more easily identify the key parameters that characterize the Gunn diode, and finally there is a comparison between the graph and the graph obtained experimentally Gunn diode ideal to check the veracity and accuracy of assembly and measurements.

I. INTRODUCCION

El diodo Gunn es una forma de diodo usado en la electrónica de alta frecuencia. A diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene regiones del tipo N, razón por lo que impropiamente se le conoce como diodo.

Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada región intermedia de material ligeramente dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a través de sus terminales, en la zona intermedia el gradiente eléctrico es mayor que en los extremos. Finalmente esta zona empieza a conducir esto significa que este diodo presenta una zona de resistencia negativa.

II. OBJETIVOS

Visualizar y describir el comportamiento del oscilador Gunn y a través de la característica voltaje – corriente compararlo con la de un diodo Gunn.

III. DESARROLLO DE CONTENIDOS

El diodo Gunn es un dispositivo semiconductor de Arseniuro de Galio (Ga As) que tiene características de resistencia negativa en la zona de trabajo, unida ésta a la presencia de ruido aleatorio y un medio externo, como ser una cavidad resonante, sin usar contactos de tipo óhmicos con el principio de funcionamiento del denominado efecto gunn para que se dé este efecto, el material semiconductor debe de tener dos bandas de energía muy cercanas en la banda de conducción. Permitiendo la generación de potencia en frecuencias de microondas desde 4 GHz. A más de 100 GHz en potencias que van desde milivatios (mW) a vatios (W).

Son dispositivos de muy bajo rendimiento 1% al 2%, y pueden funcionar con bajas tensiones, entre 3 y 15 voltios, según diseño. Normalmente son usados para generar frecuencias de microondas en modos Transversal Eléctrico, TE.

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