MEMORIAS VOLATILES

QUE ES?

La memoria (también llamada almacenamiento) es un dispositivo que retiene datos informáticos durante algún intervalo de tiempo, es uno de los componentes fundamentales del modelo de computadora de Arquitectura de von Neumann, usado desde los años 1940.

Pueden existir varios tipos de memorias, las cuales se pueden clasificar por su tiempo de retención, su ubicación en el sistema, su tamaño, el tipo de información que almacena, su forma de acceso a la información que almacena, etcétera.

Estas memorias a su vez se clasifican en dos tipos, que son las que definen a todas las demás, las memorias de tipo volátil, y las de tipo no volátil.

Las memorias (soportes) volátiles son aquellas que almacenan información sólo si son constantemente alimentadas por una fuente eléctrica, es decir, la información que contienen se pierde si se interrumpe esta alimentación, la memoria RAM es de este tipo.

En los dispositivos de memoria se realizan dos tipos de operaciones:

1. Obtener la información que hay almacenada (lectura).

2. Guardar o almacenar nueva información (escritura).

Hoy en día existen multitud de clases de memorias RAM de distintos fabricantes con distintas velocidades y capacidades.

Memoria RAM

(Random Access Memory)

Es una memoria de almacenamiento de estado sólido de acceso aleatorio, en algunas ocasiones corresponde a otras formas de almacenamiento rápido pero temporal, como los dispositivos de almacenamiento masivo: discos ópticos y tipos de almacenamiento magnético: discos duros y otros tipos de almacenamiento más lentos que las memorias RAM, pero de naturaleza más permanente.

Las memorias RAM se clasifican en dos tipos: Estática y Dinámica.

Memoria Estática de Acceso Aleatorio (Static Random Access Memory) basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica.

DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema.

Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco.

La DRAM moderna, consiste en un transistor de efecto de campo y un condensador. El principio de funcionamiento básico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al condensador.

COMO FUNCIONA

Estas memorias son de acceso Aleatorio, lo que significa que las posiciones en la memoria pueden ser escritas o leídas en cualquier orden, independientemente de cual fuera la última posición de memoria accedida. Cada bit en una SRAM se almacena en transistores que forman un biestable(circuitos binarios ( con dos estados ) en los que ambos estados son estables de forma que hace falta una señal externa de excitación para hacerlos cambiar de estado. Esta función de excitación define al tipo de biestable ( D,T, RS o JK ).

Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje de 1 lógico. Esto es posible ya que las líneas se comportan como grandes condensadores, dada su longitud tienen un valor más alto que la de los condensadores en las celdas.

Una fila es energizada por medio del decodificador de filas que recibe la dirección y la señal de RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan y permitan la conexión electrica entre las líneas de columna y una fila de condensadores. El efecto es el mismo que se produce al conectar dos condensadores, uno cargado y otro de carga desconocida: se produce un balance de que deja a los dos con un voltaje muy similar, compartiendo las cargas. El resultado final depende del valor de carga en el condensador de la celda conectada a cada columna. El cambio es pequeño, ya que la línea de columna es un condensador más grande que el de la celda.

El cambio es medido y amplificado por una sección que contiene circuitos de realimentación positiva: si el valor a medir es menor que el la mitad del voltaje de 1 lógico, la salida será un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona como un redondeo.

La lectura se realiza en todas las posiciones de una fila de manera que al llegar la segunda parte de la dirección, se decide cual es la celda deseada. Esto sucede con la señal CAS. El dato es entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O. y las celdas involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la DRAM es destructiva.

La escritura en una posición de memoria tiene un proceso similar al de arriba, pero en lugar de leer el valor, la línea de columna es llevada a un valor indicado por la línea D.I. y el condensador es cargado o descargado. El flujo del dato es mostrado con una línea gruesa en el gráfico.

CARACTERISTICAS

Un sistema de

...