Mosfet

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CONSTRUCCIÓN BÁSICA DEL MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO CANAL N

   El MOSFET  de canal n tiene las regiones de dopado para el surtidor y  drenador son regiones 'n+' y el sustrato es una región de tipo 'p'. El surtidor se denomina así porque es la fuente de los portadores de carga (electrones en el canal n) que fluyen a través del canal; de forma similar, el drenador es el punto en el cual los portadores de carga abandonan el canal.

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MODO DE EMPOBRECIMENTO

En la figura se muestra un MOSFET con graduador o compuerta polarizada negativamente. La alimentación  VDD  obliga a los electrones libres a fluir, del surtidor al drenador. Estos electrones fluyen a través del canal angosto o estrecho a la izquierda del sustrato tipo “p”

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CURVA DE DRENADOR

Un MOSFET de canal “N”. Nótese que las curvas de la parte superior tiene un voltaje VGS negativo. La curva de drenador que se encuentra en la parte más baja es cuando VGS=VGS(  apag). A lo largo de esta curva la corriente de drenador es aproximadamente cero[pic 4]

CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA

En la figura se muestra la corriente de drenador cuando el graduador está en corto, pero ahora la curva se extiende a la derecha del origen. La relación entre la corriente de drenador y el voltaje graduador-surtidor (compuerta-fuente) es todavía parabólico, por lo que puede aplicarse la ecuación. De ley cuadrática

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SIMBOLOGÍA

En la figura se muestra la derecha del graduado o compuerta está la línea vertical que representa el canal. La terminal del drenador sale de la parte superior del canal, y la terminal del surtidor o fuente se conecta a la parte inferior. La flecha en el sustrato tipo “p” apunta al material tipo “n” del canal

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POLARIZACIÓN DE MOSFET DE TIPO
DE EMPOBRECIMIENTO

Éstos incluyen: polarización de graduador, auto polarización, polarización por divisor de voltaje y polarización por corriente de surtidor (fuente) pero también puede admitir otra opción que es en modo de empobrecimiento o enriquecimiento.

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DIFERENCIA ENTRE EMPOBRECIMIENTO Y ENRIQUECIMIENTO.

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MOSTEF de empobrecimiento

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MOSFET de Enriquecimiento

PROBLEMA

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SOLUCIÓN

PARA LAS CARACTERISTICAS TRASFERENCIA SE DEFINE UN PUNTODE LA GRAFICA ID = IDSS/4=6 mA/4=1.5mA Y VGs=VP/4=-3V/2=-1.5V AL CONSIDERAR EL NIVEL VP Y EL HECHO DE QUE LA ECUACION DE SHOCKLEY DEFINE UNA CURVA QUE SE ELEVA CON MAYOR RAPIDEZ A MEDIDA QUE VGS SE HACE MAS POSITIVO SE DETALLA UN PUNTO DE LA GRAFICA EN VGS +1 V SUSTITUYENDO LA ECUACION DE SHOCKLEY

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CUESTIONARIO “A”

1.- ¿Cuáles son las regiones de dopado para el MOSFET canal ´´n´´?

2.- ¿Cómo se denomina el surtidor?

3.- ¿Qué es el drenador?

4.- ¿Cuál es la funcionalidad del VDD de un MOSFET con graduador o compuerta polarizado negativamente?

5.- ¿Cómo es la fluidez de los electrones en el sustrato tipo ´´p´´?

6.- Si trazamos la curva de drenador típica para un MOSFET de canal ´´n´´, si la parte superior tiene voltaje negativo y el voltaje drenaje fuente se encuentra en la parte baja a lo largo de la curva ¿Cuál es el valor de la corriente?

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