TRANSISTOR MOSFET Características dinámicas del transistor MOSFET
Enviado por Peter SC • 6 de Febrero de 2018 • Prácticas o problemas • 738 Palabras (3 Páginas) • 326 Visitas
[pic 1]
Electrónica II
Practica 2
Características dinámicas del transistor MOSFET
Profesor:
Dr. Miguel Ángel Peña Castillo
Integrantes:
Sánchez Hernández Gustavo
Santos Cruz Pedro Uriel Santiago Ayala Gabriel
Objetivo
Entender la operación de los MOSFET’s
Medir las características corriente-voltaje de un MOSFET
Estudiar las características de un Amplificador MOSFET fuente común
- INTRODUCCIÓN
- METODOLOGÍA
El material que se utilizo fue el siguiente
- Fuente de voltaje
- Circuito integrado CD4007
- Capacitor de 0.1 uF
- Resistencias de 1k y 10k
Como primera parte de la práctica se armó el circuito de la Figura 1 y usando la resistencia de 10k, Se estuvo variando el valor de VGS en un rango de 0v- 10v en pasos de 0.1v y se registró el valor de Vo e Id.
[pic 2]
Circuito Fig 1
Análogamente se hizo lo mismo, pero cambiando la resistencia de 10k a 1k
De manera que una vez registrados los valores en una tabla, se graficó VGS vs Vo para observar su comportamiento
- ANALISIS TEORICO
Necesitamos saber en qué región se está trabajando, tenemos como referencia la gráfica de característica de transferencia, por lo tanto, la región de saturación se encuentra sobre los puntos A y B que son los valores máximos y mínimos.
Para obtener el punto A sabemos que es el límite de la región de operación para no entrar en corte por lo tanto VDS=VDD
VDS=10 v. lo que será el punto A=(1.3,10)
Para obtener el punto B que es límite para no entrar en la región de tríodo debemos hacer los siguientes cálculos.
[pic 3]
Grafica Característica de transferencia
[pic 4]
Despejando a de la ecuación y sustituyendo en la ecuación Vob se obtiene que: [pic 5][pic 6]
[pic 7]
sustituyendo valores obtenemos que VOB=1.8 v ahora podemos obtener
VIB =3.15 v
Por lo tanto, el punto B= (1.8, 3.15)
Sabiendo que VOB es la coordenada en el eje VDS y VIB en el eje VGS
- RESULTADOS
En la siguiente tabla se observan los datos obtenidos experimentalmente y su grafica
[pic 8]
Vgs(V) | Vo=Vds(V) | Id(mA) | Vgs(V) | Vo=Vds(V) | Id(mA) | Vgs(V) | Vo=Vds(V) | Id(mA) | Vgs(V) | Vo=Vds(V) | Id(mA) |
0 | 10,02 | 0 | 1,8 | 9,8 | 0.026 | 2,8 | 4,18 | 0.586 | 6 | 0,27 | 0.978 |
0,5 | 10.02 | 0.001 | 1,9 | 9,57 | 0.047 | 2,9 | 3,48 | 0.657 | 6,5 | 0,25 | 0.98 |
1 | 10,03 | 0.001 | 2 | 9,3 | 0.074 | 3 | 2,7 | 0.734 | 7 | 0,24 | 0.981 |
1,1 | 10,03 | 0.001 | 2,1 | 8,87 | 0.116 | 3,2 | 1,34 | 0.87 | 8 | 0,22 | 0.983 |
1,2 | 10,03 | 0.001 | 2,2 | 8,58 | 0.145 | 3,4 | 0,67 | 0.938 | 9 | 0,2 | 0.985 |
1,3 | 10,03 | 0.001 | 2,3 | 8,16 | 0.187 | 3,6 | 0,54 | 0.951 | 10 | 0,19 | 0.986 |
1,4 | 10,03 | 0.001 | 2,4 | 7,37 | 0.266 | 4 | 0,45 | 0.96 | |||
1,5 | 10 | 0.003 | 2,5 | 6,66 | 0.337 | 4,5 | 0,37 | 0.968 | |||
1,6 | 9,99 | 0.004 | 2,6 | 5,84 | 0.421 | 5 | 0,33 | 0.972 | |||
1,7 | 9,85 | 0.018 | 2,7 | 5,38 | 0.466 | 5,5 | 0,3 | 0.975 |
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