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Laboratorio analógico 2: Transistor mosfet como interruptor


Enviado por   •  19 de Noviembre de 2023  •  Apuntes  •  1.378 Palabras (6 Páginas)  •  33 Visitas

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LABORATORIO ANALÓGICO 2: TRANSISTOR MOSFET COMO INTERRUPTOR

 Juan David Arias González, Santiago Luna, Yorman Joaquín Cárdenas Bonilla  Juanarias121@unisangil.edu.co, santiagoluna121@unisangil.edu.co, Yormancardenas121@unisangil.edu.co

 FUNDACIÓN UNIVERSITARIA DE SAN GIL-UNISANGIL

Resumen— En el siguiente informe del laboratorio, se examinó y se hizo un análisis para poder entender el funcionamiento y las características del transistor MOSFET “IRFZ44N” y el comportamiento de los transistores complementarios (TIP41 y TIP42) junto con el optoacoplador 4N35.

Abstract-- In the following laboratory report, an analysis was examined and made to understand the operation and characteristics of the MOSFET transistor “IRFZ44N” and the behavior of the complementary transistors (TIP41 and TIP42) together with the 4N35 optocoupler.

El transistor Mosfet tiene unas cualidades que lo hacen usar su 100% de trabajo que se encuentran en su datasheet, estos BJT manifiestan problemas con la corriente soportada y la dependencia de la temperatura a las que se someterán. Estas cualidades han llevado a que se remplacen y llevan a que los Mosfet ocupen un espacio de suma importancia en la industria.

  1. PROCEDIMIENTOS

  1. PRIMER MONTAJE

  1. Comprobación del material

se comprobó el estado del transistor MOSFET con la ayuda del multímetro tal y como se evidencia en la lustración1, sin embargo, para tomar esa medida fue necesario el uso de guantes de nitrilo y manillas antiestáticas, teniendo cuidado de no tocar directamente los pines ya que los Mosfet se pueden dañarse por la estática del cuerpo, debido a que son unos transistores bastante delicados con la estática.

  1. Mediciones del Mosfet

Al medir la resistencia drenaje y fuente del transistor MOSFET, específicamente los pines 2 y 3 de este, además se confirmó que en este transistor tiene un diodo, en el paralelo entre la juntura drenaje fuente, el diodo protege a los Mosfet de los voltajes inversos que se puedan presentar en la práctica de un circuito.

  1. MONTAJE Y SIMULACIÓN

En las siguientes ilustraciones se evidencian dos montajes, uno de ellos es el realizado de manera digital usando Proteus y la otra ilustración corresponde a la simulación hecha en protoboard.[pic 1]

Ilustración 4 Montaje en Proteus circuito1

[pic 2]

Ilustración 5. Montaje en Protoboard circuito1

  1. Recopilación de datos, tanto los obtenidos en el Proteus como los tomados en la simulación sore la Protoboard, variando la resistencia del potenciómetro

Calculado

Medidos

Simulados

VGS

305 mV

332 mV

301 mV

IDS

6.97 µA

6.97 µA

6.97 µA

VDS

15 V

14.8 V

15.1 V

VL

0.156 mV

0.19 mV

0.17 mV

R

1.61 KΩ

1.66 KΩ

1.6 KΩ

Tabla 1 Primera variación del potenciómetro

Calculado

Medidos

Simulados

VGS

323 mV

286 mV

300 mV

IDS

7.07 µA

6.87 µA

6.97 µA

VDS

14.8 V

15.3 V

15 V

VL

0.15 mV

0.21 mV

0.17 mV

R

1.76 KΩ

1.56 KΩ

1.6 KΩ

Tabla 2 Segunda variación del potenciómetro


Calculado

Medidos

Simulados

VGS

2.43 V

2.45 V

2.55 V

IDS

6.80 µA

6.77 µA

6.97 µA

VDS

14.5 V

14.62V

15 V

VL

0.14 mV

0.16 mV

0.17 mV

R

3.5 KΩ

3.38 KΩ

3.4 KΩ

Tabla 3 Tercera variación del potenciómetro

Calculado

Medidos

Simulados

VGS

3.52 V

3.65 V

3.45 V

IDS

6.9 µA

7 µA

6.97 µA

VDS

14.842 V

14.9 V

15 V

VL

0.15 mV

0.165 mV

0.17 mV

R

4.6 KΩ

4.55 KΩ

4.6 KΩ

Tabla 4 Cuarta variación del potenciómetro

Calculado

Medidos

Simulados

VGS

3.70 V

3.76 V

3.74 V

IDS

0.54 A

0.59 A

0.55 A

VDS

1.79 V

1.85 V

1.81 V

VL

12.9 V

13.4 V

13.1 V

R

4,5 KΩ

4.8 KΩ

5 KΩ

Tabla 5 Quinta variación del potenciómetro

Calculado

Medidos

Simulados

VGS

5 V

5.3 V

5.23 V

IDS

0.60 A

0.65 A

0.62 A

VDS

18.2 mV

18.6 mV

17.9 mV

VL

15V

15.2 V

14.9 V

R

6.8 KΩ

7.1 KΩ

7 KΩ

Tabla 6 Sexta variación del potenciómetro

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