BOSQUEJO MEMORIA FLASH Y DISQUETE

BOSQUEJO MEMORIA FLASH Y DISQUETE

LA MEMORIA FLASH

1. derivada de la memoria EEPROM— permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación.

2. Tipo de memoria no volátil que suele ser usadas en celulares, cámaras digitales.

a. PDAs, reproductores portátiles, discos rígidos (disco rígido híbrido), etc. Pueden borrarse y reescribirse.

3. Son una evolución de las memorias EEPROM que permiten que múltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operación mediante impulsos eléctricos. Por esta razón, este tipo de memorias funcionan a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura al mismo tiempo.

4. Inicialmente almacenaban 8 MB, pero actualmente almacenan más de 64 GB, con una velocidad de hasta 20 MB/s.

5. Son muy resistentes a golpes, pequeñas, livianas y sumamente silenciosas.

6. Permiten un número limitado de veces que se escriben/borran, generalmente de 100 mil a un millón de veces.

7. Actualmente se comercializado computadoras que no utilizan discos rígidos para el almacenamiento masivo, sino que sólo tienen memorias flash.

8. Antecedentes de la memoria flash

a) Las memorias han evolucionado mucho desde los comienzos del mundo de la computación. Conviene recordar los tipos de memorias de semiconductores empleadas como memoria principal y unas ligeras pinceladas sobre cada una de ellas para enmarcar las memorias flash dentro de su contexto.

9. Organizando estos tipos de memoria conviene destacar tres categorías si las clasificamos en función de las operaciones que podemos realizar sobre ellas, es decir, memorias de sólo lectura, memorias de sobre todo lectura y

Memorias de lectura/escritura.

a. Memorias de sólo lectura.

• ROM: (Read Only Memory): Se usan principalmente en microprogramación de sistemas. Los fabricantes las suelen emplear cuando producen componentes de forma masiva.

• PROM: (Programmable Read Only Memory): El proceso de escritura es electrónico. Se puede grabar posteriormente a la fabricación del chip, a diferencia de las anteriores que se graba durante la fabricación.Permite una única grabación y es más cara que la ROM.

b. Memorias de sobre todo lectura.

• EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede escribir varias veces de forma eléctrica, sin embargo, el borrado de los contenidos es completo y a través de la exposición a rayos ultravioletas (de esto que suelen tener una pequeña ‘ventanita’ en el chip).

• EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede borrar selectivamente byte a byte con corriente eléctrica. Es más cara que la EPROM.

• Memoria flash: Está basada en las memorias EEPROM pero permite el borrado bloque a bloque y es más barata y densa.

c. • Memorias de Lectura/Escritura (RAM)

• DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos se almacenan como en la carga de un condensador.

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