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EL TRANSISTOR EN DC DE UN TRANSISTOR BJT Y AMPLIFICADOR DE PEQUEÑA SEÑAL PARA UNA ETAPA POR DIVISOR DE VOLTAJE


Enviado por   •  22 de Septiembre de 2016  •  Informes  •  1.273 Palabras (6 Páginas)  •  509 Visitas

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EL TRANSISTOR EN DC DE UN TRANSISTOR BJT Y AMPLIFICADOR DE PEQUEÑA SEÑAL PARA UNA ETAPA POR DIVISOR DE VOLTAJE

BERNAL BERNAL DANIEL FELIPE

MARTINEZ CERA FEDERICO  

ROZO JIMENEZ JUAN MANUEL

ALDANA SANCHEZ JUAN PABLO

UNIVERSIDAD DE CUNDINAMARCA

FACULTAD DE INGENIERIA

INGENIERIA ELECTRONICA

FUSAGASUGA

2016


INTRODUCCIOIN

El laboratorio de electrónica sobre el transistor BJT, se realiza con el propósito  de identificar componentes, comportamientos y demás del transistor y apoyados con el software de simulación (Isis proteus) se verificara el correcto funcionamiento de los circuitos propuestos. Posteriormente se realizara el montaje con el transistor 2N2222 y las resistencias correspondientes en la protoboard y se tomaran las debidas mediciones de corriente como (IB e IC) y de los voltajes (VBE, VCE, VB). Finalmente los resultados serán comparados con los datos obtenidos de manera teórica y se procederá a la realización del informe. Ya una vez terminado daremos conclusiones y resultados de la práctica con el transistor BJT.

ABSTRACT

For electronics laboratory on BJT, it is performed in order to identify components, behaviors and other transistor and supported with a simulator (Circuit Lab, proteus Isis) where the real operation and accuracy of a mounted circuit is checked with the BJT transistor. Once you finished the assembly is done in the breadboard and secure with the simulator to test in a practical way and there we saw the voltage support, as it behaves according to its configuration and more. The meter values are taken to save them as reference and have results and evidence at the moment is to make a theoretical calculation. And once completed we find conclusions and results of practice with BJT transistor.


OBJETIVOS

OBJETIVO GENERAL

  • Medir los parámetros característicos del transistor BJT, polarizado en las configuraciones dadas.

  • Realizar los cálculos teóricos de cada configuración, tomar los datos y tabular los datos medidos, calculados y simulados de las dos configuraciones.

OBJETIVOS ESPECIFICOS

  • Comprobar con ayuda de un simulador “Isis Proteus” el correcto funcionamiento del Circuito.

  • Realizar los cálculos teóricos de cada configuración, tomar los datos y tabular los datos medidos, calculados y simulados de las dos configuraciones.
  • Medir los efectos de la configuración del transistor BJT por divisor de voltaje.
  • Determinar las corrientes y voltajes correspondientes a cada configuración.

MARCO TEORICO

CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN POR MEDIO DEL DIVISOR DE VOLTAJE

En la configuración de polarización anterior, la corriente de polarización y el voltaje eran funciones de la ganancia de corriente b del transistor. Sin embargo, como b es sensible a la temperatura, sobre todo si se trata de transistores de silicio, y como el valor real de beta en general no está muy bien definido, conviene desarrollar un circuito de polarización que dependa menos de, o que en realidad sea independiente, de la beta del transistor. La configuración de polarización por medio del divisor de voltaje de la figura 4.27 es esa red. Si se analiza de una forma exacta, la sensibilidad a los cambios en beta es muy pequeña. Si los parámetros del circuito se seleccionan apropiadamente, los niveles resultantes de y son casi totalmente independientes de beta. Recuerde por los análisis anteriores que el nivel fijo de y define un punto Q como se muestra en la figura 4.28. El nivel de cambiará con el cambio en beta, pero el punto de operación en las características definido por y puede permanecer fijo si se emplean los parámetros de circuito correctos. Como observamos antes, existen dos métodos que se pueden aplicar para analizar la configuración del divisor de voltaje. La razón de los nombres seleccionados para esta configuración será obvia en el análisis siguiente. El primero que se demostrará es el método exacto, el cual se puede aplicar a cualquier configuración del divisor de voltaje. El segundo, conocido como método aproximado, se puede aplicar sólo si se satisfacen condiciones específicas. El método aproximado permite un análisis más directo con ahorro de tiempo y energía. También es particularmente útil en el modo de diseño que se describirá en una sección más adelante. En definitiva, el aproximado se puede aplicar a la mayoría de las situaciones y, por consiguiente, deberá examinarse con el mismo interés que el exacto.[pic 1]

[pic 2]

       

MATERIALES

Los materiales utilizados en el laboratorio de electrónica  son los siguientes:

COMPONENTES ELECTRONICOS

[pic 3] Resistencia Eléctrica: 

Es la oposición o dificultad al paso de la corriente eléctrica. Cuanto más se opone un elemento de un circuito a que pase por el la corriente, más resistencia tendrá.

Valores utilizados (270Ω, 1.2K  2.2k, 470 k, 2.7K, 12K, 2.2M)

[pic 4]TRANSISTOR 2N2222:

Sirve tanto para aplicaciones de amplificación como de conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; por lo tanto, sólo puede tratar potencias bajas

Referencia Utilizada (2N2222)

INSTRUMENTACION:

[pic 5]

Fuente de alimentación: 

Fuente de cd, voltaje bajo, variable y regulada. Es un dispositivo que convierte la tensión alterna, en una o varias tensiones, prácticamente continuas, que alimentan los distintos circuitos del aparato electrónico al que se conecta.

[pic 6]

Multímetro:

También denominado polímetro, es un instrumento eléctrico portátil para medir directamente magnitudes eléctricas activas como corrientes y potenciales o pasivas como resistencias, capacidades y otras.

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