Modificación de la EPROM

EEPROM

La EEPROM es una modificación de la EPROM y fue diseñado por George Perlegos. Su desarrollo comenzó en 1978 cuando todavía era Perlegos empleadas por Intel. Sin embargo, el arquetipo de EEPROM aún no se había sacado de la computadora o dispositivo electrónico de la que era parte de cualquier reprogramación si era necesario. Cuando Intel Perlegos izquierda para formar Seeq Tecnología, diseñó el primer plenamente funcional EEPROM. Para eliminar la necesidad de programación externa, y Perlegos empresa hizo la delgada capa de aislamiento y un oscilador integrado y condensador en el circuito de chip de memoria propia. Este cargo bomba puede producir la tensión necesaria de programación. Dado que está plenamente integrado en cada chip EEPROM, no hay necesidad de sacar el chip de EEPROM para el borrado y la programación. Para configurar un chip EEPROM, un campo eléctrico producido por la bomba de carga se aplica localmente a las células marcadas para su modificación.

Estructura

El chip EEPROM es físicamente similar a la EPROM chip. También está compuesto de células con dos transistores. La puerta flotante se separa de la puerta de control por una delgada capa de óxido. A diferencia de la EPROM chip, sin embargo, el chip de EEPROM capa de óxido es mucho más delgada. En los chips de EEPROM, la capa de aislamiento es sólo alrededor de 1 nanómetro de espesor, mientras que en EPROM chips, la capa de óxido es de alrededor de 3 nanómetros de espesor. La delgada capa de óxido de medios más bajos requisitos de voltaje para iniciar los cambios de valor en la celda.

Túnel de los electrones de la puerta flotante a la capa de óxido que separa la puerta flotante y el control de la puerta sigue siendo el método de cambiar un poco el valor de 1 a 0. Para borrar la programación EEPROM, la barrera de electrones todavía tiene que ser superado por la aplicación de suficiente tensión de programación.

Limitaciones

Si bien la EEPROM pueden ser reprogramados, el número de veces que puede ser alterado es limitado. Esta es la razón principal por la EEPROM chips son populares sólo para almacenar datos de configuración, tales como el BIOS del equipo código que no requiere la reprogramación frecuente. La capa aislante de óxido pueden ser dañadas por los frecuentes reescribir. Moderno-día EEPROM puede volver a escribir hasta un millón de veces.

MEMORIA EEPROM (ELECTRICAL ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY)

La memoria EEPROM es programable y borrable eléctricamente y su nombre proviene de la sigla en inglés Electrical Erasable Programmable Read Only Memory. Actualmente estas memorias se construyen con transistores de tecnología MOS (Metal Oxide Silice) y MNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon).

Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la diferencia básica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta flotante, la cual es más delgada y no es fotosensible.

Las memorias EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) son memorias no volátiles y eléctricamente borrables a nivel de bytes. La posibilidad de programar y borrar las memorias a nivel de bytes supone una gran flexibilidad, pero también una celda de memoria más compleja. Además del transistor de puerta flotante anterior, es preciso un segundo transistor de selección. El tener 2 transistores por celda hace que las memorias EEPROM sean de baja densidad y mayor coste. La programación requiere de tiempos que oscilan entre 157 s y 625 s=byte. Frente a las memorias EPROM, presenta la ventaja de permitir su borrado y programación en placa, aunque tienen mayor coste debido a sus dos transistores por celda.

Una ventaja adicional de este tipo de memorias radica en que no necesitan de una alta tensión de grabado, sirven los 5 voltios de la tensión de alimentación habitual.

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