Transistores Especiales

Transistores Especiales

La palabra Transistor viene de Transfer Resistor o resistencia detransferencia, es un elemento que se comporta como una resistenciavariable que depende de una señal eléctrica de control, entonces alcambiar el valor de la señal de control cambia la cantidad de corriente que pasa por el transistor.Un transistor consiste en un par de diodos semiconductores colocadosen oposición y con regiones de unión muy próximas entre sí que lacorriente en uno de ellos afecta a la corriente del otro. Como si fuera un par de diodos acoplados.Los transistores son componentes pequeños y versátiles, capaces derealizar una asombrosa variedad de funciones de control en los equiposelectrónicos.

Transistor UJT

El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) esun dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores, esun dispositivo de disparo y que consiste de una sola unión PN

.El transistor de unijuntura es un tipo de tiristor que contiene doszonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos(B2). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre losterminales B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, enalgún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor delparámetro , standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor η

intrínseco.Cuando el voltaje Veb1 sobrepasa un valor Vp de ruptura, el UJT presentaun fenómeno de modulación de resistencia que, al aumentar la corrienteque pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también

baja el voltaje en el dispositivo, esta región se llama región de resistencianegativa, este es un proceso realimentado positivamente, por lo que estaregión no esestable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajación.

Región de corte:

En esta región, la tensión de emisor es baja de formaque la tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodoemisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE <IP.

Región de resistencia negativa:

Si la tensión de emisor es suficientepara polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entraen conducción e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente laresistencia R1 debido a procesos de recombinación. Desde el emisor, seobserva como el UJT disminuye su resistencia interna con uncomportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta región, la corriente de emisor está comprendida entre la corriente depico y de valle (IP< IE< IV).

Región de saturación:

Esta zona es similar a la zona activa de untiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle)y una relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión y la corrientede emisor. En esta región, la corriente de emisor es mayor que lacorriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto devalle, el UJT entrara de forma natural a la región de corte.

Indicador de bajo voltaje

Transistores JFET

El JFET, transistor de efecto de campo o transistor unipolar, fue inventadoen 1948, al mismo tiempo que el transistor normal o bipolar, pero no fueposible su implantación hasta 1970 debido a la alta tecnología necesaria para formar sus uniones.Un JFET reúne las características más interesantes de las válvulaselectrónicas, con las grandes ventajas de los componentessemiconductores. Según su composición, existen dos tipos de transistores JFET, los JFET de canal N y los de canal P.

En la siguiente figura, se muestra la estructura de un transistor unipolar JFET de canal N con su símbolo correspondiente:

En las siguientes figuras, se muestra un ejemplo de la familia de curvas características de surtidor común de un transistor JFET de canal N.

Examinando estas curvas podemos observar que la corriente de drenaje (ID) se hace más pequeña a medida que aumenta la tensión negativa aplicada entre la puerta y el surtidor (VGS).Al igual que ocurría con los transistores bipolares, en estas curvas se pueden apreciar cuatro zonas de operación: región de ruptura, región activa, región de corte y región de saturación.En la región de ruptura, cuando la tensión drenador-surtidor (VDS)aumenta excesivamente, el JFET entra en la región de ruptura y se produce una avalancha que puede destruir el transistor. En las curvas,tomadas como ejemplo, de la figura anterior, es del orden de 16 V.En la región de corte, el transistor entra en corte, es decir, no conduce (secomporta como un interruptor abierto). Esto ocurre cuando la tensiónnegativa del graduador o puerta es suficiente para estrangular totalmenteel canal. En las curvas anteriores, se observa que esta tensión VGS es de-1.2 V. A esta tensión se la representa por VGS (apagado).En la región de saturación, el transistor se convierte en un buen conductor(se comporta como un interruptor cerrado). Esto ocurre cuando secortocircuitan los terminales de puerta y fuente,

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